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Low-frequency Transistor(-80V, -0.5A)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.2V (Typ.) (IC / IB = 0.5A / 50mA) 2) High breakdown voltage. BVCEO = 80V 3) Complements the 2SD1782K.

ROHM

罗姆

LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR

DESCRIPTION The UTC 2SB1198 is an epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * High breakdown voltage : BVCEO= -80V * Low VCE(sat) : VCE(sat)= -0.2V (Typ) (Ic/IB = -0.5A/-50mA)

UTC

友顺

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Low VCE(sat) ● High breakdown voltage

JIANGSU

长电科技

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES Low VCE(sat) High breakdown voltage

DGNJDZ

南晶电子

LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR

文件:249.93 Kbytes Page:4 Pages

UTC

友顺

更新时间:2026-1-1 13:39:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
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ROHM
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SOT-23
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ROHM
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    支持实单 价格优势 有单必成

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  • 2SB649 MOS

    www.jskj-ic.com

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