您好,欢迎来到114ic资料网！

芯片资料
  • 芯片资料
  • 库存查询
  • 行业新闻
  • 生产厂家
  • 替换型号
  • 晶体管

位置：首页 > IC中文资料第11586页 > 2SB116

2SB116晶体管资料

  • 2SB116别名：2SB116三极管、2SB116晶体管、2SB116晶体三极管

  • 2SB116生产厂家：日本日电公司

  • 2SB116制作材料：Ge-PNP

  • 2SB116性质：低频或音频放大 （LF）

  • 2SB116封装形式：直插封装

  • 2SB116极限工作电压：25V

  • 2SB116最大电流允许值：0.05A

  • 2SB116最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2SB116引脚数：3

  • 2SB116最大耗散功率：0.1W

  • 2SB116放大倍数：β>80

  • 2SB116图片代号：C-47

  • 2SB116vtest：25

  • 2SB116htest：999900

  • 2SB116atest：.05

  • 2SB116wtest：.1

  • 2SB116代换 2SB116用什么型号代替：AC125,AC126,AC151,2SB54,2SB56,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SB1160

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SD1715 •HighfT •SatisfactorylinearityofhFE •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Forhighpoweramplifierapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1160

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SD1715 •HighfT •SatisfactorylinearityofhFE •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Forhighpoweramplifierapplications

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1160

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SD1715 •HighfT •SatisfactorylinearityofhFE •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Forhighpoweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1160

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEo=-150V(Min) •GoodLinearityofhFE •WideAreaofSafeOperation •ComplementtoType2SD1715 APPLICATIONS •Designedforhighpoweramplifierapplications

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2SB1161

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEo=-160V(Min) •GoodLinearityofhFE •WideAreaofSafeOperation •ComplementtoType2SD1716 APPLICATIONS •Designedforhighpoweramplifierapplications

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2SB1161

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SD1716 •HighfT •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Forhighpoweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1161

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SD1716 •HighfT •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Forhighpoweramplifierapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1161

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SD1716 •HighfT •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Forhighpoweramplifierapplications

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1162

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PLpackage •Complementtotype2SD1717 •ExcellentlinearityofhFE •Wideareaofsafeoperation(ASO) •HightransitionfrequencyfT APPLICATIONS •Forhighpoweramplifierapplications

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1162

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PLpackage •Complementtotype2SD1717 •ExcellentlinearityofhFE •Wideareaofsafeoperation(ASO) •HightransitionfrequencyfT APPLICATIONS •Forhighpoweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1162

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PLpackage •Complementtotype2SD1717 •ExcellentlinearityofhFE •Wideareaofsafeoperation(ASO) •HightransitionfrequencyfT APPLICATIONS •Forhighpoweramplifierapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1162

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-160V(Min) •GoodLinearityofhFE •WideAreaofSafeOperation •ComplementtoType2SD1717 APPLICATIONS •Designedforhighpoweramplifierapplications

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2SB1163

SiliconPNPPowerTransistors

SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3PLpackage ·Complementtotype2SD1718 ·ExcellentlinearityofhFE ·Wideareaofsafeoperation(ASO) ·HightransitionfrequencyfT APPLICATIONS ·Forhighpoweramplifierapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1163

SiliconPNPPowerTransistors

SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3PLpackage ·Complementtotype2SD1718 ·ExcellentlinearityofhFE ·Wideareaofsafeoperation(ASO) ·HightransitionfrequencyfT APPLICATIONS ·Forhighpoweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1163

SINPNTRIPLEDIFFUSEDPLANARHIGHPOWERAMPLIFIER

SiNPNTripleDiffusedPlabarHighPowerAmplifierCommplementaryPairwith2SB1163

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
2SB1163

SiliconPNPPowerTransistors

SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3PLpackage ·Complementtotype2SD1718 ·ExcellentlinearityofhFE ·Wideareaofsafeoperation(ASO) ·HightransitionfrequencyfT APPLICATIONS ·Forhighpoweramplifierapplications

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1165

50V/5ASwitchingApplications

50V/5ASwitchingApplications Applications ·Relaydrivers,high-speedinverters,converters. Features ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ·HighfT. ·ExcellentlinearityofhFE. ·Fastswitchingtime.

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SB1166

50V/8ASwitchingApplications

50V/8ASwitchingApplications Features ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ·HighfT. ·ExcellentlinearityofhFE. ·Fastswitchinttime. Applications ·Relaydrivers,high-speedinverters,converters.

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SB1167

100V/3ASwitchingApplications

Features 1.Lowcollector-to-emittersaturationvoltage 2.HighfT 3.ExcellentlinearityofhFE 4.Fastswitchingtime

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SB1167

iscSiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector–EmitterSustainingVoltage VCEO:-100V(Min) ·LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.)@IC=-1.5A ·ComplementtotheNPN2SD1724 ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforhighvol

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1168

100V/4ASwitchingApplications

LargeCurrentSwitchingApplications Features ·Relaydrivers,high-speedinverters,converters. ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ·HighfT. ·ExcellentlinearityofhFE. ·Shortswitchingtime.

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SB1169

Forpoweramplification

SiliconPNPepitaxialplanartype Forpoweramplification ■Features •HighforwardcurrenttransferratiohFEwhichhassatisfactorylinearity •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat) •Itypepackageenablingdirectsolderingoftheradiatingfintotheprintedcircuitboard,etc

PanasonicPanasonic Corporation

松下松下电器

Panasonic
2SB1169A

Forpoweramplification

SiliconPNPepitaxialplanartype Forpoweramplification ■Features •HighforwardcurrenttransferratiohFEwhichhassatisfactorylinearity •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat) •Itypepackageenablingdirectsolderingoftheradiatingfintotheprintedcircuitboard,etc

PanasonicPanasonic Corporation

松下松下电器

Panasonic
2SB1169A

SiliconPNPEpitaxialPlanarType

■Features ●HighforwardcurrenttransferratiohFEwhichhassatisfactorylinearity ●Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat)

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SB1160

SiliconPNPPowerTransistors

文件：162.63 Kbytes Page：4 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1160_15

SiliconPNPPowerTransistors

文件：192.93 Kbytes Page：4 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1160_2014

SiliconPNPPowerTransistors

文件：192.93 Kbytes Page：4 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1161

SiliconPNPPowerTransistors

文件：122.35 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1161_15

SiliconPNPPowerTransistors

文件：165.4 Kbytes Page：3 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1161_2014

SiliconPNPPowerTransistors

文件：165.4 Kbytes Page：3 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1162

SiliconPNPPowerTransistors

文件：114.29 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1162_15

SiliconPNPPowerTransistors

文件：161.26 Kbytes Page：3 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1162_2014

SiliconPNPPowerTransistors

文件：161.26 Kbytes Page：3 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1163

SiliconPNPPowerTransistors

文件：114.27 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1163

SiliconPNPPowerTransistor

文件：127.42 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2SB1163_15

SiliconPNPPowerTransistors

文件：161.14 Kbytes Page：3 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1163_2014

SiliconPNPPowerTransistors

文件：161.14 Kbytes Page：3 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1165

SiliconPNPPowerTransistors

文件：115.34 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1165

SiliconPNPPowerTransistors

文件：163.34 Kbytes Page：3 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1165

SiliconPNPPowerTransistors

文件：135.54 Kbytes Page：3 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1165

SiliconPNPPowerTransistors

文件：113.71 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1165_15

SiliconPNPPowerTransistors

文件：163.34 Kbytes Page：3 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1165_2014

SiliconPNPPowerTransistors

文件：163.34 Kbytes Page：3 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1167

TO-126Plastic-EncapsulateTransistors

文件：1.04526 Mbytes Page：4 Pages

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU
2SB1169_15

PNPTransistors

文件：1.22197 Mbytes Page：2 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SB1169A_15

PNPTransistors

文件：1.22015 Mbytes Page：2 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SB1169A-O

PNPTransistors

文件：1.22015 Mbytes Page：2 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SB1169A-P

PNPTransistors

文件：1.22015 Mbytes Page：2 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SB1169A-Q

PNPTransistors

文件：1.22015 Mbytes Page：2 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SB1169A-R

PNPTransistors

文件：1.22015 Mbytes Page：2 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SB1169-O

PNPTransistors

文件：1.22197 Mbytes Page：2 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SB1169-P

PNPTransistors

文件：1.22197 Mbytes Page：2 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SB1169-Q

PNPTransistors

文件：1.22197 Mbytes Page：2 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SB1169-R

PNPTransistors

文件：1.22197 Mbytes Page：2 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

2SB116产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB116

  • 制造商

    ISC

  • 制造商全称

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述

    Silicon PNP Power Transistors

2SB116供应商更多...

更新时间：2024-4-19 16:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市特顺芯科技有限公司
2SB1167
ROHM
08PB
30000
询价
深圳市汇莱威科技有限公司
2SB1169A
FDW
251-252-89
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
询价
深圳兆威电子有限公司
2SB1168S
SANYO/三洋
23+
TO-126
90000
原装原盘
询价
深圳市芯祺盛科技有限公司
2SB1169
MAT
1746+
TO263.262
8862
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品!
询价
深圳市环球伟业电子有限公司
2SB1167T
SANYO/Sanyo/三洋/三洋电机株式
21+
TO126
941
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
深圳诚思涵科技有限公司
2SB1169A
PANASONIC
18+
TO-252
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
询价
深圳市纳立科技有限公司
2SB1167T
三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
询价
艾睿国际（香港）有限公司
2SB1167T
SANYO/三洋
2021+
TO-126
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
询价
深圳市创新迹电子有限公司
2SB1168
SANYO/三洋
22+
TO-126
25000
只做原装进口现货,专注配单
询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
2SB1168
SANYO
24+
TO-126
37650
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证
询价

2SB116芯片相关品牌

  • ALSC
  • ATS2
  • BETLUX
  • delta
  • Diotec
  • ETAL
  • LUMBERG
  • Molex
  • MOLEX11
  • ONSEMI
  • WEIDMULLER
  • YFWDIODE

2SB116规格书下载地址

2SB116参数引脚图相关

2SB116数据表相关新闻

  • 2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商

    2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商

    2023-3-14

  • 2SA928AL-TO92NLB-Y-TG

    2SA928AL-TO92NLB-Y-TG

    2023-2-1

  • 2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货

    支持实单价格优势有单必成

    2022-3-30

  • 2SB649 MOS

    www.jskj-ic.com

    2021-9-10

  • 2SA2198

    2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-4-24

  • 2SB1386-P-PNP硅外延晶体管

    2SB1386-P:PNP硅外延晶体管的特点如下：·低集电极饱和电压·Execllent电流增益特性·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息）·环氧符合UL94V-0阻燃等级·Moisure敏感度等级12SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R是微型商业组件公司的产品型号

    2012-11-9

DdatasheetPDF页码索引

新数据|IC资料索引|IC关键词|IC库存|IC中文资料|关于我们|联系我们

Copyright © 2003-2024 www.114ic.cn All Rights Reserved 网站备案: 粤ICP备05011613号 粤公网安备 44030402000933号

声明：本站所有资料均来自互联网及网友提供，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权请联系QQ：303638005，本站马上更正

字母索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

深圳市市场监督管理局企业主体身份公示