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2SB1161中文资料

厂家型号

2SB1161

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126.87Kbytes

页面数量

2

功能描述

Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistors

数据手册

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简称

NJSEMI新泽西半导体

生产厂商

New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名称

新泽西半导体公司官网

2SB1161数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• Collector-Emitter Breakdown Voltage- :V(BR)CEo=-160V(Min)

• Good Linearity of hFE

• Wide Area of Safe Operation

• Complement to Type 2SD1716

APPLICATIONS

• Designed for high power amplifier applications

2SB1161产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB1161

  • 制造商

    ISC

  • 制造商全称

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述

    Silicon PNP Power Transistors

更新时间:2026-2-16 16:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
TOP-3FA
10000
全新
MAT
16+
TO-3P
100000
全新原装现货
MAT
TO-3PL
22+
6000
十年配单,只做原装
PANASONIC丨松下
24+
TO3P
990000
明嘉莱只做原装正品现货
PANASONIC丨松下
2026+
TO3P
54648
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
JAPAN
24+
TO-126
5000
只做原装公司现货
UTG
23+
TO-126
388000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
JAPAN
23+
TO-126
18
全新原装正品现货,支持订货
SANYO
25+
TO-126
37650
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
JAPAN
22+
TO-126
20000
公司只有原装 品质保证

2SB1161 晶体管资料

  • 2SB1161别名:2SB1161三极管、2SB1161晶体管、2SB1161晶体三极管

  • 2SB1161生产厂家:日本松下公司

  • 2SB1161制作材料:Si-PNP

  • 2SB1161性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 2SB1161封装形式:直插封装

  • 2SB1161极限工作电压:160V

  • 2SB1161最大电流允许值:12A

  • 2SB1161最大工作频率:20MHZ

  • 2SB1161引脚数:3

  • 2SB1161最大耗散功率:120W

  • 2SB1161放大倍数

  • 2SB1161图片代号:B-45

  • 2SB1161vtest:160

  • 2SB1161htest:20000000

  • 2SB1161atest:12

  • 2SB1161wtest:120

  • 2SB1161代换 2SB1161用什么型号代替:BD746F,2SA1386,2SA1673,2SB817,2SB1373,