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位置：首页 > IC中文资料第6614页 > 2SB115

2SB115晶体管资料

  • 2SB115别名：2SB115三极管、2SB115晶体管、2SB115晶体三极管

  • 2SB115生产厂家：日本日电公司

  • 2SB115制作材料：Ge-PNP

  • 2SB115性质：低频或音频放大 （LF）

  • 2SB115封装形式：直插封装

  • 2SB115极限工作电压：25V

  • 2SB115最大电流允许值：0.05A

  • 2SB115最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2SB115引脚数：3

  • 2SB115最大耗散功率：0.1W

  • 2SB115放大倍数：β>60

  • 2SB115图片代号：C-47

  • 2SB115vtest：25

  • 2SB115htest：999900

  • 2SB115atest：0.05

  • 2SB115wtest：0.1

  • 2SB115代换 2SB115用什么型号代替：AC125,AC126,AC151,2SB54,2SB56,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SB1150

PNPSILICONDARLINGTONTRANSISTOR

DESCRIPTION The2SB1150isadarlingtontransistorbuilt-inazenerdiodeatB-CandadumperdiodeatE-C. ItissuitableforusetooperatefromICwithoutpredriver,suchashammerdriver.

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC
2SB1151

LowCollectorSaturationVoltage

SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC
2SB1151

LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT

LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT FEATURES *HighPowerDissipation:PD=1.5W(Ta=25℃) *Complementaryto2SD1691.

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1151

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SD1691 ·Lowsaturationvoltage ·Largecurrent ·Hightotalpowerdissipation:PT=1.3W ·LargecurrentcapabilityandwideSOA APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·Driverofsolenoidormotor

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1151

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SD1691 ·Lowsaturationvoltage ·Largecurrent ·Hightotalpowerdissipation:PT=1.3W ·LargecurrentcapabilityandwideSOA APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·Driverofsolenoidormotor

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

锦美电子泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1151

Itisintentedforuseinpoweramplifierandswitchingapplications.

DESCRIPTION Itisintentedforuseinpoweramplifierandswitchingapplications.

TGS

Tiger Electronic Co.,Ltd

TGS
2SB1151

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SD1691 ·Lowsaturationvoltage ·Largecurrent ·Hightotalpowerdissipation:PT=1.3W ·LargecurrentcapabilityandwideSOA APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·Driverofsolenoidormotor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1151

ComplementarySiliconPowerTtransistors

DESCRIPTION Itisintentedforuseinpower amplifierandswitchingapplications.

TGS

Tiger Electronic Co.,Ltd

TGS
2SB1151L-T60-T

LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT

LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT FEATURES *HighPowerDissipation:PD=1.5W(Ta=25℃) *Complementaryto2SD1691.

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1151-T60-T

LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT

LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT FEATURES *HighPowerDissipation:PD=1.5W(Ta=25℃) *Complementaryto2SD1691.

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1154

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-3PFapackage ·Complementtotype2SD1705 ·Lowcollectorsaturationvoltage ·SatisfactorylinearityofhFE APPLICATIONS ·Forpowerswitchingapplications

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

锦美电子泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1154

SiliconPNPepitaxialplanartype(Forpowerswitching)

Forpowerswitching Complementaryto2SD1705 ■Features ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat) ●SatisfactorylinearityoffowardcurrenttransferratiohFE ●LargecollectorcurrentIC ●Full-packpackagewhichcanbeinstalledtotheheatsinkwithonescre

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下电器

Panasonic
2SB1154

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-3PFapackage ·Complementtotype2SD1705 ·Lowcollectorsaturationvoltage ·SatisfactorylinearityofhFE APPLICATIONS ·Forpowerswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1154

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-3PFapackage ·Complementtotype2SD1705 ·Lowcollectorsaturationvoltage ·SatisfactorylinearityofhFE APPLICATIONS ·Forpowerswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1155

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SD1706 •Lowcollectorsaturationvoltage •SatisfactorylinearityofhFE APPLICATIONS •Forpowerswitchingapplications

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

锦美电子泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1155

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SD1706 •Lowcollectorsaturationvoltage •SatisfactorylinearityofhFE APPLICATIONS •Forpowerswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1155

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SD1706 •Lowcollectorsaturationvoltage •SatisfactorylinearityofhFE APPLICATIONS •Forpowerswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1155

SILICONNPNEPITAXIALPLANARTYPEPOWERSWITCHING

ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下电器

Panasonic
2SB1155

SiliconPNPepitaxialplanartype(Forpowerswitching)

SiliconPNPepitaxialplanartype Forpowerswitching Complementaryto2SD1706 ■Features ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat) ●SatisfactorylinearityoffowardcurrenttransferratiohFE ●LargecollectorcurrentIC ●Full-packpackagewhichcanbeinstalledtotheheat

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下电器

Panasonic
2SB1155

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-80V(Min) •GoodLinearityofhFE •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=-0.5V(Max.)@IC=-7A •ComplementtoType2SD1706 APPLICATIONS •Designedforpowerswitchingapplications

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2SB1156

SiliconPNPepitaxialplanartype(Forpowerswitching)

Forpowerswitching Complementaryto2SD1707 ■Features ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat) ●SatisfactorylinearityoffowardcurrenttransferratiohFE ●LargecollectorcurrentIC ●Full-packpackagewhichcanbeinstalledtotheheatsinkwithonescrew

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下电器

Panasonic
2SB1156

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-3PFapackage ·Complementtotype2SD1707 ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Largecollectorcurrent APPLICATIONS ·Forpowerswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1156

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-3PFapackage ·Complementtotype2SD1707 ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Largecollectorcurrent APPLICATIONS ·Forpowerswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1156

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-3PFapackage ·Complementtotype2SD1707 ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Largecollectorcurrent APPLICATIONS ·Forpowerswitchingapplications

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

锦美电子泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1157

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SD1712 •HighfT •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Forhighpoweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1157

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SD1712 •HighfT •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Forhighpoweramplifierapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1157

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SD1712 •HighfT •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Forhighpoweramplifierapplications

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

锦美电子泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1157

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEo=-100V(Min) •GoodLinearityofhFE •WideAreaofSafeOperation •ComplementtoType2SD1712 APPLICATIONS •Designedforhighpoweramplifierapplications

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2SB1158

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-120V(Min) •GoodLinearityofhFE •WideAreaofSafeOperation •ComplementtoType2SD1713 APPLICATIONS •Designedforhighpoweramplifierapplications

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2SB1158

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SD1713 •HighfT •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Forhighpoweramplifierapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1158

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SD1713 •HighfT •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Forhighpoweramplifierapplications

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

锦美电子泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1158

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SD1713 •HighfT •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Forhighpoweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1159

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SD1714 •HighfT •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Forhighpoweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1159

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SD1714 •HighfT •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Forhighpoweramplifierapplications

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

锦美电子泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1159

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SD1714 •HighfT •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Forhighpoweramplifierapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1151

SiliconPNPPowerTransistor

文件：135.89 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2SB1151

SiliconPNPPowerTransistors

文件：176 Kbytes Page：4 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1151

PNPPlasticEncapsulatedTransistor

文件：304.07 Kbytes Page：2 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
2SB1151

LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT

文件：229.2 Kbytes Page：4 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1151_10

LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT

文件：229.2 Kbytes Page：4 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1151_15

SiliconPNPPowerTransistors

文件：224.59 Kbytes Page：4 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

锦美电子泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1151_2014

SiliconPNPPowerTransistors

文件：224.59 Kbytes Page：4 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

锦美电子泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1151-G

PNPPlastic-EncapsulateTransistors

文件：305.43 Kbytes Page：2 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SB1151G-X-AA3-R

LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT

文件：229.2 Kbytes Page：4 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1151G-X-T60-K

LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT

文件：229.2 Kbytes Page：4 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1151G-X-TN3-R

LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT

文件：229.2 Kbytes Page：4 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1151L-X-AA3-R

LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT

文件：229.2 Kbytes Page：4 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1151L-X-T60-K

LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT

文件：229.2 Kbytes Page：4 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1151L-X-TN3-R

LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT

文件：229.2 Kbytes Page：4 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1151-O

PNPPlastic-EncapsulateTransistors

文件：305.43 Kbytes Page：2 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SB1151-O-BP

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3 包装：卷带（TR） 描述：TRANS PNP 60V 5A TO126 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SB1151-Y

PNPPlasticEncapsulatedTransistor

文件：304.07 Kbytes Page：2 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
2SB1151-Y

PNPPlastic-EncapsulateTransistors

文件：305.43 Kbytes Page：2 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SB1151-Y-BP

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3 包装：卷带（TR） 描述：TRANS PNP 60V 5A TO126 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SB1151-Y-C

PNPPlasticEncapsulatedTransistor

文件：304.07 Kbytes Page：2 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
2SB1152

iscSiliconPNPPowerTransistor

文件：155.98 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1153

iscSiliconPNPPowerTransistor

文件：154.76 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1153

SiliconPNPPowerTransistor

文件：126.33 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2SB1154

SiliconPNPPowerTransistors

文件：153.5 Kbytes Page：4 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1154

SiliconPNPPowerTransistor

文件：133.4 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

2SB115产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB115

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

2SB115供应商更多...

更新时间：2025-6-16 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
2SB1155
MAT
24+
NA/
2000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
深圳市威雅利发展有限公司
2SB1155
MAT
18+
TO-3PF
1900
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
深圳市创新迹电子有限公司
2SB1155
PANASONIC/松下
22+
TO-3PF
25000
只做原装进口现货,专注配单
询价
深圳市博浩通科技有限公司
2SB1155
PANASONI
23+
TO-3P
2541
特价库存
询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
2SB1156
PANASONIC/松下
23+
TO-3PF
55628
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
2SB1155
PANASONIC
25+
TO-3PF
37650
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
上海金庆电子技术有限公司
2SB1156
新
80
全新原装 货期两周
询价
深圳市一线半导体有限公司
2SB1155
24+
TOP-3FA
10000
全新
询价
深圳市柯尔基电子有限公司
2SB1155
PANASONIC
23+24
TO-3P
28950
原装现货.优势热卖.终端BOM表可配单
询价
深圳市河锋鑫科技有限公司
2SB1155
PANASONIC/松下
22+
TO-3PF
6000
十年配单,只做原装
询价

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    2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商

    2023-3-14

  • 2SA928AL-TO92NLB-Y-TG

    2SA928AL-TO92NLB-Y-TG

    2023-2-1

  • 2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货

    支持实单价格优势有单必成

    2022-3-30

  • 2SB649 MOS

    www.jskj-ic.com

    2021-9-10

  • 2SA2198

    2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-4-24

  • 2SB1386-P-PNP硅外延晶体管

    2SB1386-P:PNP硅外延晶体管的特点如下：·低集电极饱和电压·Execllent电流增益特性·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息）·环氧符合UL94V-0阻燃等级·Moisure敏感度等级12SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R是微型商业组件公司的产品型号

    2012-11-9

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