丝印代码：2SAR583D3；PNP -7A -50V Power Transistor

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丝印代码：2SAR583D3；PNP -7A -50V Power Transistor

Features 1) Suitable for Power Driver. 2) Complementary NPN Types : 2SCR583D3 FRA. 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=-400mV(Max.). (IC/IB=-3A/-150mA) Application LOW FREQUENCY AMPLIFIER

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-emitter breakdown voltage : BVCEO= -50V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 180-450@ (VCE= -3V, IC= -1A) ·Low Saturation Voltage : VCE(sat)= -0.35V(Max)@ (IC= -3A, IB= -0.15A) ·Complement to Type 2SCR583D3 ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance a

PNP -7A -50V 车载用功率晶体管

低VCE(sat)功率晶体管。适合低频放大用途。 • Suitable for Power Driver.\n• Complementary NPN Types : 2SCR583D3\n• Low VCE(sat): VCE(sat)=-400mV(Max.). (IC/IB=-3A/-150mA);

PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, 车载用 功率晶体管 (符合AEC-Q101标准)

2SAR583D3FRA是一款低VCE(sat)的功率晶体管，是非常适用于低频放大应用的车规级高可靠性晶体管。 • Suitable for Power Driver.\n• Low VCE(sat) VCE(sat)=-400mV(Max.). (IC/IB=-3A/-150mA);

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：散装 描述：PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, PO 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：散装 描述：TRANS PNP 50V 7A TO252 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个