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2SAR583D3中文资料

厂家型号

2SAR583D3

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2

功能描述

isc Silicon PNP Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

2SAR583D3数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·Collector-emitter breakdown voltage

: BVCEO= -50V(Min)

·High DC Current Gain

: hFE= 180-450@ (VCE= -3V, IC= -1A)

·Low Saturation Voltage

: VCE(sat)= -0.35V(Max)@ (IC= -3A, IB= -0.15A)

·Complement to Type 2SCR583D3

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for use as a driver in DC/DC converters and

actuators.

更新时间:2025-10-15 14:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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