型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Plastic-Encapsulated Transistors

TRANSISTOR (PNP) FEATURE Power dissipation PCM : 0.6 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -0.8 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -35 V Operating and storage junction temperature range Tj, Tstg: -55℃ to +150℃

TEL

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description Designed for low-frequency power amplifier applications.

DCCOM

道全

PNP Plastic Encapsulated Transistor

* 1W output applications * Complementary to 2SC2120

SECOS

喜可士

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors (PNP)

FEATURES 1W Output Applications Complementary to 2SC2120

TGS

Audio Power Amplifier Applications

文件:304.12 Kbytes Page:3 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA950Y产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SA950Y

  • 功能描述

    TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92

更新时间:2026-1-28 11:26:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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