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Plastic-EncapsulatedTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURE Powerdissipation PCM:0.6W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.8A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-35V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

TEL

TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description Designedforlow-frequencypoweramplifierapplications.

DCCOM

Dc Components

DCCOM

PNPPlasticEncapsulatedTransistor

*1Woutputapplications *Complementaryto2SC2120

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors(PNP)

FEATURES 1WOutputApplications Complementaryto2SC2120

TGS

Tiger Electronic Co.,Ltd

TGS

AudioPowerAmplifierApplications

文件:304.12 Kbytes Page:3 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-6-7 16:02:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
长电
25+23+
TO-92
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TO-92
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