| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SA844-E | PNP Plastic-Encapsulate Transistors 文件：311.2 Kbytes Page：2 Pages | MCC |   | |
2SA844-E | 中等功率双极型晶体管 | MCC | | |
封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 包装：带盒（TB） 描述：TRANS PNP 55V 0.1A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | MCC | | ||
Silicon PNP Epitaxial * Low frequency amplifier * Collector to base voltage VCBO : –55 V * Collector to emitter voltage VCEO : –55 V * Emitter to base voltage VEBO : –5 V * Collector current IC : –100 mA * Emitter current IE : 100 mA * Collector power dissipation PC : 300 mW | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | ||
Plastic-Encapsulated Transistors 文件：66.57 Kbytes Page：1 Pages | TEL | | ||
Silicon PNP Epitaxial 文件：161.55 Kbytes Page：5 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon PNP Epitaxial 文件：161.55 Kbytes Page：5 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon PNP Epitaxial 文件：161.55 Kbytes Page：5 Pages | RENESAS 瑞萨 | |
2SA844-E产品属性
- 类型
描述
- Product Polarity：
PNP
- SMD/ThroHole：
Through Hole
- VCEO (V)：
-55
- VCBO (V)：
-55
- VEBO (V)：
-5.0
- IC (A)：
-0.1
- PC (W)：
0.3
- HFE：
400-800
- @IC (mA)：
-2.0
- @VCE (V)：
-12
- ICBO：
-0.1 µA
- IEBO：
-0.05 µA
- VCE(sat) (V)：
-0.5
- VBE(sat) (V)：
-0.75
- FT (MHz)：
200
- Package Qty：
Bulk
- FIT：
48; Tj=100℃
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOS |
25+23+ |
TO-92L |
24625 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
Panasonic-SSG |
24+ |
TO-92L |
1324 |
||||
BRIGHTEK(弘凯光电) |
2447 |
0402 |
115000 |
4000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
|||
CJ/长电 |
24+ |
CELL |
50000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
|||
BRIGHTEK弘凯光电 |
23+ |
0603 |
4530 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
26+ |
N/A |
48000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
JXND/嘉兴南电 |
25+ |
CELL |
50000 |
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十 |
|||
Apex Tool Group/Cooper Tools |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
||||
TOSHIBA |
25+ |
SMD |
120000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
|||
BRIGHTEK(弘凯光电) |
25+ |
402 |
869 |
全新原装 |
2SA844-E规格书下载地址
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- 2SA893
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2SP0115T2C0-12
2022-4-152SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
支持实单 价格优势 有单必成
2022-3-302SA2198
2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-242SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9
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