| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SC1212 and 2SC1212A | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 |   | ||
isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Good Linearity of hFE ·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-V(BR)CEO= -50V (Min) ·Complement to Type 2SC1212 APPLICATIONS ·Designed for use in low frequency power amplifier applications. | ISC 无锡固电 | | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SC1212/1212A APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications | JMNIC 锦美电子 | | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SC1212/1212A APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications | SAVANTIC | | ||
Silicon PNP Power Transistors 文件：192.56 Kbytes Page：4 Pages | JMNIC 锦美电子 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-242SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9
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