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2SA733T-O

Low Frequency Amplifier PNP Epitaxial Silicon Transistor

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FUTUREWAFER

2SA733T-O

General Purpose Bipolar

FUTUREWAFER

PNP SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION The 2SA733 is designed for use in driver state of AF amplifier. FEATURES ● High hFE and Excellent Linearity : 200 TYP. hFE (VCE = -6.0 V, IC = -1.0 mA)

NEC

瑞萨

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description Designed for use in driver stage of AF amplifier applicatioms.

DCCOM

道全

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation

DAYA

大亚电器

PNP Plastic Encapsulated Transistor

FEATURES • Complementary of the 2SC945 • Collector to base voltage: -60V

SECOS

喜可士

LOW FREQUENCY AMPLIFIER PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

文件:175.57 Kbytes Page:4 Pages

UTC

友顺

更新时间:2025-11-21 11:35:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
20+
TO-3
35830
原装优势主营型号-可开原型号增税票
HITACHI/日立
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TO 126
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