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2SA66晶体管资料

  • 2SA66别名：2SA66三极管、2SA66晶体管、2SA66晶体三极管

  • 2SA66生产厂家：日本东芝公司

  • 2SA66制作材料：Ge-PNP

  • 2SA66性质：开关管 （S）

  • 2SA66封装形式：直插封装

  • 2SA66极限工作电压：18V

  • 2SA66最大电流允许值：0.2A

  • 2SA66最大工作频率：10MHZ

  • 2SA66引脚数：3

  • 2SA66最大耗散功率：

  • 2SA66放大倍数：

  • 2SA66图片代号：C-47

  • 2SA66vtest：18

  • 2SA66htest：10000000

  • 2SA66atest：0.2

  • 2SA66wtest：0

  • 2SA66代换 2SA66用什么型号代替：ASY26,ASY27,ASY48,ASY76,ASY77,2N1305,3AK32,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SA661

SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR(PCT PROCESS)

SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR(PCT PROCESS) ○ Driver Stage and Amplifier Applications. ○ High Voltage Amplifier Applications.

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SA663

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Wide area of safe operation ·Complement to type 2SC793 APPLICATIONS ·For radio frequency,audio frequency and power amplifier applications

ISC

无锡固电

2SA663

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Wide area of safe operation ·Complement to type 2SC793 APPLICATIONS ·For radio frequency,audio frequency and power amplifier applications

JMNIC

锦美电子

2SA666

SI PNP EPITAXIAL PLANAR

Si PNP Epitaxial Planar AF Low Noise Amplifier Features • Low noise figure • High hFE

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SA666A

SI PNP EPITAXIAL PLANAR

Si PNP Epitaxial Planar AF Low Noise Amplifier Features • Low noise figure • High hFE

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SA661

SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR(PCT PROCESS)

2SA663

Trans GP BJT PNP 25V 1A 3-Pin TO-92L-A1

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SA663

Silicon PNP Power Transistor

文件：128.41 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SA663

Silicon PNP Power Transistors

文件：150.97 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SA663_15

Silicon PNP Power Transistors

文件：150.97 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SA666

Low Level and General Purpose Amplifiers

文件：84.74 Kbytes Page：1 Pages

MICRO-ELECTRONICS

2SA666

SI PNP EPITAXIAL PLANAR

2SA666A

Low Level and General Purpose Amplifiers

文件：84.74 Kbytes Page：1 Pages

MICRO-ELECTRONICS

2SA66产品属性

  • 类型

    描述

  • Maximum Transition Frequency：

    200(Typ)MHz

  • Maximum Power Dissipation：

    1000mW

  • Maximum Operating Temperature：

    150°C

  • Maximum Emitter Base Voltage：

    5V

  • Maximum DC Collector Current：

    1A

  • Maximum Collector Emitter Voltage：

    25V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：

    0.4@50mA@500mAV

  • Maximum Collector Base Voltage：

    30V

  • Material：

    Si

  • Configuration：

    Single

  • Category：

    Bipolar Power

2SA66供应商更多...

更新时间：2026-5-14 18:01:00
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