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2SA65晶体管资料

  • 2SA65别名：2SA65三极管、2SA65晶体管、2SA65晶体三极管

  • 2SA65生产厂家：日本东芝公司

  • 2SA65制作材料：

  • 2SA65性质：开关管 （S）

  • 2SA65封装形式：直插封装

  • 2SA65极限工作电压：18V

  • 2SA65最大电流允许值：0.2A

  • 2SA65最大工作频率：6MHZ

  • 2SA65引脚数：3

  • 2SA65最大耗散功率：

  • 2SA65放大倍数：

  • 2SA65图片代号：C-47

  • 2SA65vtest：18

  • 2SA65htest：6000000

  • 2SA65atest：0.2

  • 2SA65wtest：0

  • 2SA65代换 2SA65用什么型号代替：ASY26,ASY27,ASY48,ASY76,ASY77,2N1305,3AK32,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SA650

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3 package • Wide area of safe operation APPLICATIONS • For audio frequency and power amplifier applications

ISC

无锡固电

2SA650

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3 package • Wide area of safe operation APPLICATIONS • For audio frequency and power amplifier applications

SAVANTIC

2SA653

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-66 package ·High voltage: VCEO=-120V(min) APPLICATIONS ·Low frequency power amplifier color TV vertical deflection output applications

SAVANTIC

2SA653

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-66 package ·High voltage: VCEO=-120V(min) APPLICATIONS ·Low frequency power amplifier color TV vertical deflection output applications

ISC

无锡固电

2SA656

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3 package • Wide area of safe operation • Complement to type 2SC519 APPLICATIONS • For audio frequency and power amplifier applications

JMNIC

锦美电子

2SA656

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3 package • Wide area of safe operation • Complement to type 2SC519 APPLICATIONS • For audio frequency and power amplifier applications

ISC

无锡固电

2SA656

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- :V(BR)CEo=-110V(Min.) • Complement to Type 2SC519 APPLICATIONS • Power amplifier applications. • Power switching applications. • DC-DC converter applications. • Regulator applications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SA656

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3 package • Wide area of safe operation • Complement to type 2SC519 APPLICATIONS • For audio frequency and power amplifier applications

SAVANTIC

2SA657

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -80V(Min.) • Complement to Type 2SC520 APPLICATIONS • Power amplifier applications. • Power switching applications. • DC-DC converter applications. • Regulator applications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SA657

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3 package • Wide area of safe operation • Complement to type 2SC520 APPLICATIONS • For audio frequency and power amplifier applications

SAVANTIC

2SA657

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3 package • Wide area of safe operation • Complement to type 2SC520 APPLICATIONS • For audio frequency and power amplifier applications

JMNIC

锦美电子

2SA657

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3 package • Wide area of safe operation • Complement to type 2SC520 APPLICATIONS • For audio frequency and power amplifier applications

ISC

无锡固电

2SA658

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3 package • Wide area of safe operation • Complement to type 2SC521 APPLICATIONS • For audio frequency and power amplifier applications

JMNIC

锦美电子

2SA658

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3 package • Wide area of safe operation • Complement to type 2SC521 APPLICATIONS • For audio frequency and power amplifier applications

ISC

无锡固电

2SA658

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3 package • Wide area of safe operation • Complement to type 2SC521 APPLICATIONS • For audio frequency and power amplifier applications

SAVANTIC

2SA658

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEo= -50V(Min.) • Complement to Type 2SC521 APPLICATIONS • Power amplifier applications. • Power switching applications. • DC-DC converter applications. • Regulator applications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SA651

Silicon PNP Power Transistor

文件：126.74 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SA651

Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -150V(Min.)

文件：69.93 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SA652

Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -100V(Min.)

文件：82.46 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SA652

Silicon PNP Power Transistor

文件：129.63 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SA656

Silicon PNP Power Transistors

文件：151.44 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SA656

Silicon NPN Power Transistors

文件：110.31 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2SA656

Trans GP BJT PNP 25V 1A 3-Pin TO-92L-A1

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SA656_15

Silicon PNP Power Transistors

文件：151.44 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SA656A

POWER AMPLIFIER APPLICATIONS.

文件：137.9 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA657

Silicon PNP Power Transistors

文件：151.65 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SA657

Trans GP BJT PNP 25V 1A 3-Pin TO-92L-A1

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SA657

Silicon NPN Power Transistors

文件：110.15 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2SA657_15

Silicon PNP Power Transistors

文件：151.65 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SA657A

POWER AMPLIFIER APPLICATIONS.

文件：137.9 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA658

Silicon PNP Power Transistors

文件：151.67 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SA658

Trans GP BJT PNP 25V 1A 3-Pin TO-92L-A1

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SA658

Silicon NPN Power Transistors

文件：110.31 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2SA658_15

Silicon PNP Power Transistors

文件：151.67 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SA658A

POWER AMPLIFIER APPLICATIONS.

文件：137.9 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA659

2SA659NP

文件：66.74 Kbytes Page：1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SA659NP

2SA659NP

文件：66.74 Kbytes Page：1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SA65产品属性

  • 类型

    描述

  • Maximum Transition Frequency：

    200(Typ)MHz

  • Maximum Power Dissipation：

    1000mW

  • Maximum Operating Temperature：

    150°C

  • Maximum Emitter Base Voltage：

    5V

  • Maximum DC Collector Current：

    1A

  • Maximum Collector Emitter Voltage：

    25V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：

    0.4@50mA@500mAV

  • Maximum Collector Base Voltage：

    30V

  • Material：

    Si

  • Configuration：

    Single

  • Category：

    Bipolar Power

2SA65供应商更多...

更新时间：2026-5-14 18:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市科恒伟业电子有限公司
2SA653
NEC
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TO66
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2SA671
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2SA671
ST
23+
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深圳市中飞凌科技有限公司
2SA671
ST
26+
TO-220
60000
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深圳市华斯顿科技有限公司
2SA673
长电
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上海金庆电子技术有限公司
2SA673
HITACHI
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深圳市盈慧通电子有限公司
2SA671
ST
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TO-220
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深圳市一线半导体有限公司
2SA653
24+
TO-66
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洪芯国际半导体（深圳）有限公司
2SA673
CJ
26+
QFN16
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