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2SA658晶体管资料

  • 2SA658(A)别名：2SA658(A)三极管、2SA658(A)晶体管、2SA658(A)晶体三极管

  • 2SA658(A)生产厂家：日本东芝公司

  • 2SA658(A)制作材料：Si-PNP

  • 2SA658(A)性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • 2SA658(A)封装形式：直插封装

  • 2SA658(A)极限工作电压：70V

  • 2SA658(A)最大电流允许值：7A

  • 2SA658(A)最大工作频率：5MHZ

  • 2SA658(A)引脚数：2

  • 2SA658(A)最大耗散功率：50W

  • 2SA658(A)放大倍数：

  • 2SA658(A)图片代号：E-44

  • 2SA658(A)vtest：70

  • 2SA658(A)htest：5000000

  • 2SA658(A)atest：7

  • 2SA658(A)wtest：50

  • 2SA658(A)代换 2SA658(A)用什么型号代替：BD316,BD246B,2N6226,2N6229,2SB688,2SB681,3CF5A,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SA658

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3 package • Wide area of safe operation • Complement to type 2SC521 APPLICATIONS • For audio frequency and power amplifier applications

SAVANTIC

2SA658

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3 package • Wide area of safe operation • Complement to type 2SC521 APPLICATIONS • For audio frequency and power amplifier applications

JMNIC

锦美电子

2SA658

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3 package • Wide area of safe operation • Complement to type 2SC521 APPLICATIONS • For audio frequency and power amplifier applications

ISC

无锡固电

2SA658

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEo= -50V(Min.) • Complement to Type 2SC521 APPLICATIONS • Power amplifier applications. • Power switching applications. • DC-DC converter applications. • Regulator applications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SA658

Silicon PNP Power Transistors

文件：151.67 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SA658

Silicon NPN Power Transistors

文件：110.31 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2SA658

Trans GP BJT PNP 25V 1A 3-Pin TO-92L-A1

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SA658_15

Silicon PNP Power Transistors

文件：151.67 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SA658A

POWER AMPLIFIER APPLICATIONS.

文件：137.9 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA658产品属性

  • 类型

    描述

  • Maximum Transition Frequency：

    200(Typ)MHz

  • Maximum Power Dissipation：

    1000mW

  • Maximum Operating Temperature：

    150°C

  • Maximum Emitter Base Voltage：

    5V

  • Maximum DC Collector Current：

    1A

  • Maximum Collector Emitter Voltage：

    25V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：

    0.4@50mA@500mAV

  • Maximum Collector Base Voltage：

    30V

  • Material：

    Si

  • Configuration：

    Single

  • Category：

    Bipolar Power

2SA658供应商更多...

更新时间：2026-5-14 10:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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