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isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= -55V (Min.) ·Collector-Emitter Saturation Voltage-: VCE(sat)= -0.5V (Max.)@ IC= -1A ·Collector Power Dissipation-: PC= 25W@ TC= 25℃ APPLICATIONS ·Designed for medium power amplifier applications.

ISC

无锡固电

2SA614O产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SA614O

  • 功能描述

    TRANSISTOR | BJT | PNP | 55V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB

更新时间:2025-11-27 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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