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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications · Capable of being used in the low frequency to high frequency range. Features · Large current capacity and wide ASO. | SANYO 三洋 |   | ||
Plastic-Encapsulated Transistors FEATURES Power dissipation PCM : 400 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM : -100 mA Collector-base voltage V(BR)CBO : -40 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ | TEL | | ||
PNP Plastic Encapsulated Transistor FEATURES Capable of being used in the low frequency to high frequency range. Large current capacity and wide ASO. | SECOS 喜可士 | | ||
GENERAL PURPOSE AMP, SWITCHING APPLICATIONS PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors General-Purpose Amp, Switching Applications | SANYO 三洋 | | ||
TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 400 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM : -100 mA Collector-base voltage V(BR)CBO : -40 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ | WINNERJOIN 永而佳 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SANYO |
00+ |
TO-92 |
4500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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SANYO/三洋 |
02+ |
TO-92S |
50 |
只做原装正品 |
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TOSHIBA |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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CJ/长电 |
24+ |
TO-92S |
50000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
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24+ |
TO92 |
4231 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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CJ/长电 |
21+ |
TO-92 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票 |
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SANYO/三洋 |
25+ |
TR |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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长电 |
25+ |
TO-92 |
105000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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JRC |
24+ |
TO-92 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
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SANYO/三洋 |
24+ |
TO-92 |
60000 |
全新原装现货 |
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2SA1037-R-TP
进口代理
2024-11-12SA928AL-TO92NLB-Y-TG
2SA928AL-TO92NLB-Y-TG
2023-2-12SA1930Q现货销售，欢迎来电咨询~
2SP0115T2C0-12
2022-4-152SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
支持实单 价格优势 有单必成
2022-3-302SA2198
2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-242SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9
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