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SILICON PNP EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS)

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TOSHIBA

东芝

Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -50V (Min.)

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ISC

无锡固电

Silicon PNP Power Transistor

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

更新时间:2026-3-13 9:19:01
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