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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

High Current Capability

文件:114.57 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

Silicon PNP Power Transistor

文件:74.29 Kbytes Page:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

Power Amplifier Applications

文件:133.25 Kbytes Page:4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA2121-O产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SA2121-O

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP 200V 15A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-5-24 13:38:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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