型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

TRANSISTOR(HIGHVOLTAGESWITCHINGAPPLICATIONS)

High-VoltageSwitchingApplications •Highbreakdownvoltage:VCEO=−400V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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2SA1972(TE6产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SA1972(TE6

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT Transistor PNP, 400V, 0.5A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-5-17 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
24+
NA/
29871
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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13+
TO-92L
6000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
TOSHIBA/东芝
24+
NA
990000
明嘉莱只做原装正品现货
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