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位置：首页 > IC中文资料第389页 > 2SA189

2SA189晶体管资料

  • 2SA189别名：2SA189三极管、2SA189晶体管、2SA189晶体三极管

  • 2SA189生产厂家：日本富士通公司

  • 2SA189制作材料：Ge-PNP

  • 2SA189性质：射频/高频放大 （HF）_中频放大 （ZF）

  • 2SA189封装形式：直插封装

  • 2SA189极限工作电压：12V

  • 2SA189最大电流允许值：0.015A

  • 2SA189最大工作频率：6MHZ

  • 2SA189引脚数：3

  • 2SA189最大耗散功率：

  • 2SA189放大倍数：

  • 2SA189图片代号：C-47

  • 2SA189vtest：12

  • 2SA189htest：6000000

  • 2SA189atest：0.015

  • 2SA189wtest：0

  • 2SA189代换 2SA189用什么型号代替：AF124,AF125,AF126,AF127,AF200,2N3323,2N3324,2N3325,2SA201,2SA202,2SA203,3AG54A,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SA1890

Silicon PNP epitaxial planer type

Silicon PNP epitaxial planar type For low-frequency output amplification Complementary to 2SC5026 ■ Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • High collector-emitter voltage (Base open) VCEO • Mini power type package, allowing downsizing of the equipment and automatic ins

Panasonic

松下

2SA1890

Silicon PNP Epitaxial Planar

Features ● Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) ● High collector-emitter voltage (Base open) VCEO

KEXIN

科信电子

2SA1891

TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS)

Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = −0.5 V (max) (IC = −1 A) • High collector power dissipation: PC = 1.3 W (Ta = 25 °C) • High-speed switching time

TOSHIBA

东芝

2SA1892

TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS)

Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = −0.5 V (max) (IC = −1 A, IB = −0.05 A) • High collector power dissipation: PC = 1.3 W • High-speed switching tim

TOSHIBA

东芝

2SA1893

TRANSISTOR (STOROBE FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

Strobe Flash Applications Audio Power Amplifier Applications • hFE(1) = 100 to 320 (VCE = −2 V, IC = −0.5 A) • hFE(2) = 70 (min) (VCE = −2 V, IC = −4 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = −1.0 V (max) (IC = −4 V, IB = −0.1 A) • High-power dissipation: PC = 1.3 W

TOSHIBA

东芝

2SA1896

DC/DC Converter, Motor Driver Applications

DC/DC Converter, Motor Driver Applications Features • Adoption of FBET processes. • Large current capacity. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Small size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid ICs.

SANYO

三洋

2SA1897

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING

The 2SA1897 features a low saturation voltage and is available for high current control in small dimension. This transistor is ideal for high efficiency DC/DC converters due to fast switching speed. FEATURES • High current capacitance • Low collector saturation voltage and high hFE • Insulatio

NEC

瑞萨

2SA1897

SILICON TRANSISTOR

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING The 2SA1897 features a low saturation voltage and is available for high current control in small dimension. This transistor is ideal for high efficiency DC/DC converters due to fast switching speed.

RENESAS

瑞萨

2SA1897K

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING

The 2SA1897 features a low saturation voltage and is available for high current control in small dimension. This transistor is ideal for high efficiency DC/DC converters due to fast switching speed. FEATURES • High current capacitance • Low collector saturation voltage and high hFE • Insulatio

NEC

瑞萨

2SA1897L

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING

The 2SA1897 features a low saturation voltage and is available for high current control in small dimension. This transistor is ideal for high efficiency DC/DC converters due to fast switching speed. FEATURES • High current capacitance • Low collector saturation voltage and high hFE • Insulatio

NEC

瑞萨

2SA1898

DC/DC Converter

DC/DC Converter Application Features • Adoption of FBET and MBIT processes. • Large current capacity. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Fast switching speed. Applications • High-speed switching.

SANYO

三洋

2SA1898

PNP Epitaxial Planar Silicon

Features ● Adoption of FBET and MBIT processes. ● Large current capacity. ● Low collector-to-emitter saturation voltage. ● Fast switching speed.

KEXIN

科信电子

2SA1899

TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS)

POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS. ● Complementary to 2SC5052

TOSHIBA

东芝

2SA1890_15

PNP Transistors

文件：915.4 Kbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

2SA18900RL

封装/外壳：TO-243AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP 80V 1A MINIP3-F1 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

Panasonic

松下

2SA1890G

Silicon PNP epitaxial planar type

Panasonic

松下

2SA1890GRL

封装/外壳：TO-243AA 包装：散装 描述：TRANS PNP 80V 1A MINIP3-F2 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

Panasonic

松下

2SA1890-Q

PNP Transistors

文件：915.4 Kbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1890-R

PNP Transistors

文件：915.4 Kbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1891

Power Amplifier Applications Power Switching Applications

文件：156.71 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA1891

Power transistor for high-speed switching applications

TOSHIBA

东芝

2SA1891_06

Power Amplifier Applications Power Switching Applications

文件：156.71 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA1892

Power Amplifier Applications Power Switching Applications

文件：159.07 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA1892_06

Power Amplifier Applications Power Switching Applications

文件：159.07 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA1893

Strobe Flash Applications Audio Power Amplifier Applications

文件：150.1 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA1893

TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) STROBE FLASH APPLICATIONS MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS

TOSHIBA

东芝

2SA1893_06

Strobe Flash Applications Audio Power Amplifier Applications

文件：150.1 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA1898_15

PNP Transistors

文件：1.16896 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1898-R

PNP Transistors

文件：1.16896 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1898-S

PNP Transistors

文件：1.16896 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SA189产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SA189

  • 功能描述

    TRANS PNP 80VCEO 1A MINI PWR

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN 电流 -

  • 集电极(Ic)（最大）

    1A 电压 -

  • 集电极发射极击穿（最大）

    30V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）

    200mV @ 100mA，1A 电流 -

  • 集电极截止（最大）

    100nA 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE)

    300 @ 500mA，5V 功率 -

  • 最大

    710mW 频率 -

  • 转换

    100MHz

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3（TO-236）

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 其它名称

    MMBT489LT1GOSDKR

2SA189供应商更多...

更新时间：2025-12-25 11:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市盈慧通电子有限公司
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