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HIGHVOLTAGEDRIVERAPPLICATION

HIGHVOLTAGEDRIVERAPPLICATION FEATURES *Highbreakdownvoltage. *ExcellenthFElinearity.

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

Plastic-EncapsulatedTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:500mW(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-200mA Collector-basevoltageV(BR)CBO:-400V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

TELTokyo Electron Ltd.

东电电子东京电子有限公司

TEL

High-VoltageDriverApplications

Features ●HighBreakdownVoltage ●AdoptionofMBITProcess ●ExcellenthFELinearlity.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES •Highbreadownvoltage •ExcellenthFElinearlity

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰电子有限公司

HOTTECH

HIGHVOLTAGEDRIVERAPPLICATION

文件:160.67 Kbytes Page:5 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
更新时间:2025-6-12 23:00:01
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SANYO/三洋
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NA/
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SANYO/三洋
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