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EPITAXIALPLANARSUPER/ULTRAMINIMOLDPNPSILICONTRANSISTORS

Features 1)Lownoise:NF=0.5dB(Typ.) 2)Complementarypairwith2SC2412K/2SC4081.

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

PNPsiliconTransistor

Features ●Lownoise:NF=0.5dB(TYP.) ●Epitaxialplanartype.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

GeneralPurposeTransistor

Features 1)ExcellenthFElinearity. 2)Complementsthe2SC2412K/2SC4081/2SC4617/2SC5658/2SC1740S.

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

Plastic-EncapsulatedTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:200mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-150mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

TEL

GeneralPurposeTransistor

文件:72.18 Kbytes Page:4 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
更新时间:2025-5-20 10:36:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
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ROHM/罗姆
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