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EPITAXIALPLANARPNPSILICONTRANSISTOR

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ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

EpitaxialPlanarPNPSiliconTransistor

Features ●Highbreakdownvoltage:VCEO=-120V ●Lownoisedesign:NF=0.2dB(Typ.)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

EPITAXIALPLANARPNPSILICONTRANSISTOR

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ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
更新时间:2025-6-16 17:38:01
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