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High-Speed Switching Applications

High-Speed Switching Applications Features • Very small-sized package permitting sets to be small sized, slim. • High breakdown voltage : VCEO=(–)50V. • Complementary pair transistor having large current capacity and high fT. • Adoption of FBET process.

SANYO

三洋

更新时间:2026-3-11 18:38:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SANYO/三洋
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onsemi(安森美)
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正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
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