2SA1030晶体管资料
2SA1030别名：2SA1030三极管、2SA1030晶体管、2SA1030晶体三极管
2SA1030生产厂家：日本日立公司
2SA1030制作材料：Si-PNP
2SA1030性质：通用型 （Uni）
2SA1030封装形式：直插封装
2SA1030极限工作电压：55V
2SA1030最大电流允许值：0.1A
2SA1030最大工作频率：280MHZ
2SA1030引脚数：3
2SA1030最大耗散功率：0.2W
2SA1030放大倍数：
2SA1030图片代号：A-39
2SA1030vtest：55
2SA1030htest：280000000
- 2SA1030atest：0.1
2SA1030wtest：0.2
2SA1030代换 2SA1030用什么型号代替：BC177,BC204,BC212,BC213,BC251,BC257,BC307,BC512,BC557,3CG120B,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SA1030 | Silicon PNP Epitaxial • Low frequency amplifier • Complementary pair with 2SC458 and 2SC2308 | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 |   | |
2SA1030 | Silicon PNP Epitaxial 文件：166.33 Kbytes Page：6 Pages | RENESAS 瑞萨 | | |
2SA1030 | Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | |
Transistor-Bipolar Small Signal Transistors | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon PNP Epitaxial 文件：166.33 Kbytes Page：6 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon PNP Epitaxial 文件：166.33 Kbytes Page：6 Pages | RENESAS 瑞萨 | |
2SA1030产品属性
- 类型
描述
- Maximum Transition Frequency：
280(Typ)MHz
- Maximum Power Dissipation：
300mW
- Maximum Operating Temperature：
150°C
- Maximum Emitter Base Voltage：
5V
- Maximum DC Collector Current：
0.1A
- Maximum Collector Emitter Voltage：
50V
- Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.2@1mA@10mAV
- Maximum Collector Base Voltage：
55V
- Material：
Si
- Configuration：
Single
- Category：
Bipolar Small Signal
2SA1030规格书下载地址
2SA1030参数引脚图相关
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2023-2-162SA1015-Y-AP（原厂授权中国分销商）
主要参数： 分立半导体产品 电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电流（最大值） ：100nA（ICBO） DC 电流增益（hFE）（最小值）： 120 功率 - 最大值： 400MW 频率 - 跃迁： 80MHz 工作温度 ：-55°C ~ 125°C 安装类型： 通孔 封装： TO-226-3， TO-92-3
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2019-5-9
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