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TRANSISTOR(POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS)

PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications •LowCollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=−0.5V(max)(IC=−1A) •Highcollectorpowerdissipation:PC=900mW •High-speedswitching:tstg=1.0μs(typ.) •Complementaryto2SC2655

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTC2SA1020isdesignedforpoweramplifierandpowerswitchingapplications. FEATURES *Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(SAT)=-0.5V(MAX)(IC=-1A) *Highspeedswitchingtime:tSTG=1.0μs(TYP) *ComplementtoUTC2SC2655

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

PNPGeneralPurposeTransistors

PNPGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

WEITRON

OneWattHighCurrentPNPTransistorVOLTAGEANDCURRENTARENEGATIVEFORPNPTRANSISTORS

OneWattHighCurrentPNPTransistor Features •Pb−FreePackagesareAvailable*

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

TO-92MODPlastic-EncapsulatedTransistors

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
更新时间:2025-7-6 22:30:01
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