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2SA1009A晶体管资料
2SA1009A别名：2SA1009A三极管、2SA1009A晶体管、2SA1009A晶体三极管
2SA1009A生产厂家：日本日电公司
2SA1009A制作材料：Si-PNP
2SA1009A性质：开关管 （S）_功率放大 （L）
2SA1009A封装形式：直插封装
2SA1009A极限工作电压：400V
2SA1009A最大电流允许值：2A
2SA1009A最大工作频率：<1MHZ或未知
2SA1009A引脚数：3
2SA1009A最大耗散功率：15W
2SA1009A放大倍数：
2SA1009A图片代号：B-10
2SA1009Avtest：400
2SA1009Ahtest：999900
- 2SA1009Aatest：2
2SA1009Awtest：15
2SA1009A代换 2SA1009A用什么型号代替：2SA1236,2SA1397,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SA1009A | PNPSILICONPOWERTRANSISTORS SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 |  |   |
2SA1009A | iscSiliconPNPPowerTransistor 文件：312.04 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
PNPSILICONPOWERTRANSISTORS SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | | | |
FastSwitchingSpeed 文件：112.44 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | |
2SA1009A产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SA1009A
- 制造商
NEC
- 制造商全称
NEC
- 功能描述
PNP SILICON POWER TRANSISTORS
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
NEC |
05+ |
TO220 |
6000 |
绝对原装自己现货 |
|||
NEC |
25+23+ |
TO-220 |
43021 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
5033 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
||||
PANASONIC |
24+ |
30000 |
|||||
NEC |
20+ |
TO-220 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
KEC |
22+ |
TO92 |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
KEC |
21+ |
TO-92 |
120000 |
长期代理优势供应 |
|||
NEC |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
NEC |
24+ |
4326 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
2SA1009A芯片相关品牌
2SA1009A规格书下载地址
2SA1009A参数引脚图相关
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商品目录气体放电管（GDT） 直流击穿电压(最小值)- 脉冲放电电流5kA 极间电容1pF 电极数2 直流击穿电压(最大值)- 精度±20%_ 直流击穿电压(典型值)90V
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2020-5-82SA1015-Y-AP（原厂授权中国分销商）
主要参数： 分立半导体产品 电流-集电极（Ic）（最大值）：150mA 电压-集射极击穿（最大值）：50V 电流（最大值）：100nA（ICBO） DC电流增益（hFE）（最小值）：120 功率-最大值：400MW 频率-跃迁：80MHz 工作温度：-55°C~125°C 安装类型：通孔 封装：TO-226-3，TO-92-3
2020-3-6
DdatasheetPDF页码索引
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