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PNP/NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR PNP/NPNSiliconEpitaxialTransistor(EBT) AudioFrequencyPowerAmplifier HighFrequencyPowerAmplifier | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 |  |   | |
SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220package ·Complementtotype2SC2336,2SC2336A,2SC2336B APPLICATIONS ·Audiofrequencypoweramplifier ·Highfrequencypoweramplifier | SAVANTIC Savantic, Inc. |  | | |
SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220package ·Complementtotype2SC2336,2SC2336A,2SC2336B APPLICATIONS ·Audiofrequencypoweramplifier ·Highfrequencypoweramplifier | JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司 |  | | |
iscSiliconPNPPowerTransistor 文件：297.96 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
SiliconPNPPowerTransistors 文件：205.61 Kbytes Page：5 Pages | JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2023-2-162RL090M-6
商品目录气体放电管（GDT） 直流击穿电压(最小值)- 脉冲放电电流5kA 极间电容1pF 电极数2 直流击穿电压(最大值)- 精度±20%_ 直流击穿电压(典型值)90V
2021-7-72R5TPF330MFL 深圳市得捷芯城电子科技 AVX KEMET 尼康 三洋 钽电容代理商
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2020-8-42RP600L-8气体放电管 2RP600L-8君耀品牌 技术参数
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2020-5-82SA1015-Y-AP（原厂授权中国分销商）
主要参数： 分立半导体产品 电流-集电极（Ic）（最大值）：150mA 电压-集射极击穿（最大值）：50V 电流（最大值）：100nA（ICBO） DC电流增益（hFE）（最小值）：120 功率-最大值：400MW 频率-跃迁：80MHz 工作温度：-55°C~125°C 安装类型：通孔 封装：TO-226-3，TO-92-3
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