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芯片资料

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2SA1006_V01	iscSiliconPNPPowerTransistor 文件：297.96 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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更新时间：2025-7-7 18:07:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市一线半导体有限公司	2SA1006BR	NEC	24+		39		询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	2SA1006A	NEC	24+	NA/	235	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价

2SA1012G-TO252R-R-TG_UTC代理商
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2023-2-21
2SA1015G-TO92K-BL-TG_UTC代理商
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2023-2-16
2RL090M-6
商品目录气体放电管（GDT）直流击穿电压(最小值)- 脉冲放电电流5kA 极间电容1pF 电极数2 直流击穿电压(最大值)- 精度±20%_ 直流击穿电压(典型值)90V
2021-7-7
2R5TPF330MFL 深圳市得捷芯城电子科技 AVX KEMET 尼康三洋钽电容代理商
2R5TPF330MFL深圳市得捷芯城电子科技AVXKEMET尼康三洋钽电容代理商
2020-8-4
2RP600L-8气体放电管 2RP600L-8君耀品牌技术参数
2RP600L-8气体放电管2RP600L-8君耀品牌技术参数
2020-5-8
2SA1015-Y-AP（原厂授权中国分销商）
主要参数：分立半导体产品电流-集电极（Ic）（最大值）：150mA 电压-集射极击穿（最大值）：50V 电流（最大值）：100nA（ICBO） DC电流增益（hFE）（最小值）：120 功率-最大值：400MW 频率-跃迁：80MHz 工作温度：-55°C~125°C 安装类型：通孔封装：TO-226-3，TO-92-3
2020-3-6