| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2N6755 | HEXFET TRANSISTORS HEXFET TRANSISTORS JEDEC REGISTERED N-CHANNEL POWER MOSFETs 100 Volts, 0.18 Ohm HEXFET | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 |   | |
2N6755 | N-Channel Power MOSFETs, 14 A, 60 A/100 V Description These devices are n-channel, enchancement mode, power MOSFETs designed especially for high power, high speed applications, such as switching power supplies, UPS, AC and DC motor controls, relay and solenoid drivers and high energy pulse circuits. | FAIRCHILD 仙童半导体 | | |
2N6755 | VGS Rated at 짹20V 文件：47.2 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
2N6755 | N-channel enhancement-mode power field-effect transistor. Drain-sourge voltage 60V. Continuous drain current(at Tc 25deg) 12A. | GESS | | |
2N6755 | Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | |
2N6755 | N-Channel Power MOSFETs, 14 A, 60 A/100 V | ONSEMI 安森美半导体 | |
2N6755产品属性
- 类型
描述
- Minimum Operating Temperature：
-55°C
- Maximum Power Dissipation：
75000mW
- Maximum Operating Temperature：
150°C
- Maximum Gate Source Voltage：
±20V
- Maximum Drain Source Voltage：
100V
- Maximum Continuous Drain Current：
14A
- Configuration：
Single
- Channel Type：
N
- Channel Mode：
Enhancement
- Category：
Power MOSFET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR/MOT |
专业铁帽 |
TO-3 |
67500 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
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IR |
07+ |
TO-3 |
2 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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原厂 |
2540+ |
TO-03 |
6852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
2N6755 |
25+ |
100 |
100 |
||||
IR |
24+ |
SMD |
390 |
“芯达集团”专营军工百分之百原装进口 |
|||
MOT |
24+ |
TO-3 |
10000 |
||||
IR |
QQ咨询 |
TO-03 |
67 |
全新原装 研究所指定供货商 |
|||
IR/MOT |
专业铁帽 |
TO-3 |
850 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
|||
IR |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
2447 |
20 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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