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2N6718-BP

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 包装:散装 描述:TRANS NPN 100V 1A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

MCC

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

FEATURES * 100 Volt VCEO * Gain of 20 at IC = 0.5 Amp * Ptot=1 Watt

ZETEX

Power Transistors

文件:50.69 Kbytes Page:1 Pages

CENTRAL

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description The H2N6718L is designed for general purpose medium power amplifier and switching applications. Features • High Power: 850mW • High Current: 1A

HSMC

华昕

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description The H2N6718V is designed for general purpose medium power amplifier and switching.

HSMC

华昕

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description The H2N6718V is designed for general purpose medium power amplifier and switching.

HSMC

华昕

更新时间:2026-8-2 9:11:00
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