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2N6703晶体管资料

  • 2N6703别名:2N6703三极管、2N6703晶体管、2N6703晶体三极管

  • 2N6703生产厂家:美国无线电公司

  • 2N6703制作材料:Si-NPN

  • 2N6703性质:开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 2N6703封装形式:直插封装

  • 2N6703极限工作电压:160V

  • 2N6703最大电流允许值:7A

  • 2N6703最大工作频率:>50MHZ

  • 2N6703引脚数:3

  • 2N6703最大耗散功率:50W

  • 2N6703放大倍数

  • 2N6703图片代号:B-10

  • 2N6703vtest:160

  • 2N6703htest:50000100

  • 2N6703atest:7

  • 2N6703wtest:50

  • 2N6703代换 2N6703用什么型号代替:BU409,BUW64C,TIP150,TIP151,TIP152,3DK206D,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N6703

HIGH-CURRENT, SILICON N-P-N VERSAWATT TRANSISTORS

High-Current, Silicon N-P-N VERSAWATT Transistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N6703

Trans GP BJT NPN 110V 7A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N6703

High-Current silicon NPN Versawatt Transistors

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2N6703

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:258.81 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

2N6703

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:223.63 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:223.63 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

2N6703产品属性

  • 类型

    描述

  • Maximum Transition Frequency:

    200MHz

  • Maximum Power Dissipation:

    50000mW

  • Maximum Operating Temperature:

    150ᄀC

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    7V

  • Maximum DC Collector Current:

    7A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    110V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    0.8@0.5A@5A1.5@0.7A@7A

  • Material:

    Si

  • Configuration:

    Single

  • Category:

    Bipolar Power

更新时间:2026-5-15 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
25+
TO-237
11580
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
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TO-237
11528
样件支持,可原厂排单订货!
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5000
全新原装假一赔十
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22+
TO-237
20000
只做原装
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4326
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!
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专做原装正品,假一罚百!
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
2N671
25+
8
8
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25+
TO-92L
9500
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
ST
25+
CAN to-39
20000
原装,请咨询

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