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2N6508晶体管资料

  • 2N6508别名：2N6508三极管、2N6508晶体管、2N6508晶体三极管

  • 2N6508生产厂家：

  • 2N6508制作材料：50HZ－Thy

  • 2N6508性质：

  • 2N6508封装形式：直插封装

  • 2N6508极限工作电压：600V

  • 2N6508最大电流允许值：25A

  • 2N6508最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2N6508引脚数：3

  • 2N6508最大耗散功率：

  • 2N6508放大倍数：

  • 2N6508图片代号：B-10

  • 2N6508vtest：600

  • 2N6508htest：999900

  • 2N6508atest：25

  • 2N6508wtest：0

  • 2N6508代换 2N6508用什么型号代替：

2N6508价格

参考价格：￥3.6542

型号：2N6508G 品牌：ON 备注：这里有2N6508多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2N6508批发/采购报价，2N6508行情走势销售排行榜，2N6508报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N6508

Silicon Controlled Rectifiers

Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors Designed primarily for half‐wave ac control applications, such as motor controls, heating controls and power supply crowbar circuits. Features • Glass Passivated Junctions with Center Gate Fire for Greater Parameter Uniformity and Stabil

ONSEMI

安森美半导体

2N6508

Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS

文件：63.65 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N6508

SILICON CONTROLLED RECTIFIERS REVERSE BLOCKING THYRISTORS

文件：212.39 Kbytes Page：4 Pages

DIGITRON

2N6508

THYRISTORS SILICON CONTROLLED RECTIFIERS

文件：204.39 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2N6508

Silicon Controlled Rectifiers

文件：402.48 Kbytes Page：6 Pages

KERSEMI

2N6508

isc Thyristors

文件：220.6 Kbytes Page：1 Pages

ISC

无锡固电

2N6508G

Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS

文件：63.65 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N6508G

封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：SCR 600V 25A TO220AB 分立半导体产品 晶闸管 - SCR

ETC

知名厂家

2N6508TG

封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：SCR 600V 25A TO220AB 分立半导体产品 晶闸管 - SCR

ETC

知名厂家

2N6508产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N6508

  • 功能描述

    SCR 600V 25A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics 最大转折电流

  • IBO

    480 A 额定重复关闭状态电压

  • VDRM

    600 V

  • 关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）

    5 uA

  • 开启状态

    RMS

  • 正向电压下降

    1.6 V

  • 栅触发电压(Vgt)

    1.3 V

  • 最大栅极峰值反向电压

    5 V

  • 栅触发电流(Igt)

    35 mA 保持电流（Ih

  • 最大值）

    75 mA

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    TO-220

  • 封装

    Tube

2N6508供应商更多...

更新时间：2025-8-8 18:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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