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2N6504晶体管资料

  • 2N6504别名：2N6504三极管、2N6504晶体管、2N6504晶体三极管

  • 2N6504生产厂家：

  • 2N6504制作材料：50HZ－Thy

  • 2N6504性质：

  • 2N6504封装形式：直插封装

  • 2N6504极限工作电压：50V

  • 2N6504最大电流允许值：25A

  • 2N6504最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2N6504引脚数：3

  • 2N6504最大耗散功率：

  • 2N6504放大倍数：

  • 2N6504图片代号：B-10

  • 2N6504vtest：50

  • 2N6504htest：999900

  • 2N6504atest：25

  • 2N6504wtest：0

  • 2N6504代换 2N6504用什么型号代替：MCR69-2,

2N6504价格

参考价格：￥7.1854

型号：2N6504 品牌：ON 备注：这里有2N6504多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2N6504批发/采购报价，2N6504行情走势销售排行榜，2N6504报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N6504

SiliconControlledRectifiers

SiliconControlledRectifiersReverseBlockingThyristors Designedprimarilyforhalf‐waveaccontrolapplications,suchasmotorcontrols,heatingcontrolsandpowersupplycrowbarcircuits. Features •GlassPassivatedJunctionswithCenterGateFireforGreaterParameterUniformityandStabil

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6504

SiliconControlledRectifiersReverseBlockingThyristorsSCRs25AMPERESRMS50thru800VOLTS

文件：63.65 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6504

THYRISTORSSILICONCONTROLLEDRECTIFIERS

文件：204.39 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2N6504

SILICONCONTROLLEDRECTIFIERSREVERSEBLOCKINGTHYRISTORS

文件：212.39 Kbytes Page：4 Pages

DIGITRON

Digitron Semiconductors

DIGITRON
2N6504

SiliconControlledRectifiers

文件：402.48 Kbytes Page：6 Pages

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
2N6504_06

SiliconControlledRectifiersReverseBlockingThyristorsSCRs25AMPERESRMS50thru800VOLTS

文件：63.65 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6504G

SiliconControlledRectifiersReverseBlockingThyristorsSCRs25AMPERESRMS50thru800VOLTS

文件：63.65 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6504G

封装/外壳：TO-220-3 包装：散装 描述：SCR 50V 25A TO220AB 分立半导体产品 晶闸管 - SCR

ETC

知名厂家

2N6504产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N6504

  • 功能描述

    SCR 50V 25A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics 最大转折电流

  • IBO

    480 A 额定重复关闭状态电压

  • VDRM

    600 V

  • 关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）

    5 uA

  • 开启状态

    RMS

  • 正向电压下降

    1.6 V

  • 栅触发电压(Vgt)

    1.3 V

  • 最大栅极峰值反向电压

    5 V

  • 栅触发电流(Igt)

    35 mA 保持电流（Ih

  • 最大值）

    75 mA

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    TO-220

  • 封装

    Tube

2N6504供应商更多...

更新时间：2025-5-21 18:34:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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ON/安森美
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