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2N6493晶体管资料

  • 2N6493别名：2N6493三极管、2N6493晶体管、2N6493晶体三极管

  • 2N6493生产厂家：

  • 2N6493制作材料：Si-N+Darl

  • 2N6493性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • 2N6493封装形式：直插封装

  • 2N6493极限工作电压：100V

  • 2N6493最大电流允许值：15A

  • 2N6493最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2N6493引脚数：2

  • 2N6493最大耗散功率：100W

  • 2N6493放大倍数：β>500

  • 2N6493图片代号：E-44

  • 2N6493vtest：100

  • 2N6493htest：999900

  • 2N6493atest：15

  • 2N6493wtest：100

  • 2N6493代换 2N6493用什么型号代替：BDV67A,BDW83C,BDX67B,MJ4035,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N6493

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector saturation voltage • High DC current gain • DARLINGTON APPLICATIONS • General-purpose power amplifier and low frequency swithing applications

ISC

无锡固电

2N6493

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector saturation voltage • High DC current gain • DARLINGTON APPLICATIONS • General-purpose power amplifier and low frequency swithing applications

SAVANTIC

2N6493

Silicon NPN Power Transistors

文件：113.09 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2N6493

Trans GP BJT NPN 350V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N6493产品属性

  • 类型

    描述

  • Maximum Transition Frequency：

    5(Min)MHz

  • Maximum Power Dissipation：

    80000mW

  • Maximum Operating Temperature：

    150°C

  • Maximum Emitter Base Voltage：

    6V

  • Maximum DC Collector Current：

    5A

  • Maximum Collector Emitter Voltage：

    350V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：

    1.5@500mA@2.5A

  • Maximum Collector Base Voltage：

    450V

  • Material：

    Si

  • Configuration：

    Single

  • Category：

    Bipolar Power

2N6493供应商更多...

更新时间：2026-5-14 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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