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2N6413晶体管资料

  • 2N6413别名:2N6413三极管、2N6413晶体管、2N6413晶体三极管

  • 2N6413生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司

  • 2N6413制作材料:Si-NPN

  • 2N6413性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 2N6413封装形式:直插封装

  • 2N6413极限工作电压:80V

  • 2N6413最大电流允许值:4A

  • 2N6413最大工作频率:>50MHZ

  • 2N6413引脚数:3

  • 2N6413最大耗散功率:15W

  • 2N6413放大倍数

  • 2N6413图片代号:B-45

  • 2N6413vtest:80

  • 2N6413htest:50000100

  • 2N6413atest:4

  • 2N6413wtest:15

  • 2N6413代换 2N6413用什么型号代替:BD243B,BD579,BD589,BD787,BD789,MJE240,MJE241,MJE242,MJE243,MJE244,3DD64C,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N6413

COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE

文件:182.34 Kbytes Page:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N6413

Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N6413产品属性

  • 类型

    描述

  • Maximum Transition Frequency:

    4(Min)MHz

  • Maximum Power Dissipation:

    40000mW

  • Maximum Operating Temperature:

    150°C

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    5V

  • Maximum DC Collector Current:

    4A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    100V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    1.2@0.15A@1.5A

  • Maximum Collector Base Voltage:

    110V

  • Material:

    Si

  • Configuration:

    Single

  • Category:

    Bipolar Power

更新时间:2026-5-14 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Microchip Technology / Atmel
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