2N6338晶体管资料

  • 2N6338别名:2N6338三极管、2N6338晶体管、2N6338晶体三极管

  • 2N6338生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司_SSI_美国硅晶体技术公司

  • 2N6338制作材料:Si-NPN

  • 2N6338性质:开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 2N6338封装形式:直插封装

  • 2N6338极限工作电压:120V

  • 2N6338最大电流允许值:25A

  • 2N6338最大工作频率:>40MHZ

  • 2N6338引脚数:2

  • 2N6338最大耗散功率:200W

  • 2N6338放大倍数

  • 2N6338图片代号:E-44

  • 2N6338vtest:120

  • 2N6338htest:40000100

  • 2N6338atest:25

  • 2N6338wtest:200

  • 2N6338代换 2N6338用什么型号代替:BDW30,2N5671,2N5672,2N6272,2N6274,2N6275,2N6276,2N6277,3DK210C,

2N6338价格

参考价格:¥54.8852

型号:2N6338G 品牌:ON Semiconductor 备注:这里有2N6338多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2N6338批发/采购报价,2N6338行情走势销售排行榜,2N6338报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N6338

POWERTRANSISTORSNPNSILICON

...designedforuseinindustrial−militarypoweramplifierandswitchingcircuitapplications. •HighCollector−EmitterSustainingVoltage−VCEO(sus)=100Vdc(Min)−2N6338=150Vdc(Min)−2N6341 •HighDCCurrentGain−hFE=30−120@IC=10Adc=12(Min)@IC=25Adc •LowCollec

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6338

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3package •Fastswitchingtimes •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2N6436~38 APPLICATIONS •Foruseinindustrial-militarypoweramplifierandswitchingcircuitapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2N6338

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3package •HighDCcurrentgain •Fastswitchingtimes •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2N6436~38 APPLICATIONS •Foruseinindustrial-militarypoweramplifierandswitchingcircuitapplications

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2N6338

iscSiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=100V(Min)-2N6338=120V(Min)-2N6339=140V(Min)-2N6340=160V(Min)-2N6341 •HighSwitchingSpeed •LowSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=10A APPLICATIONS •Designedforuseinindustrial-militarypoweramplifier

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2N6338

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/509

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
2N6338

25AMPEREPOWERTRANSISTORS

25AMPEREPOWERTRANSISTORSNPNSILICON100,120,140,150VOLTS200WATTS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2N6338

25AMPERENPNSILICONPOWERTRANSISTOR

25AMPEREPOWERTRANSISTORSNPNSILICON100,120,140,150VOLTS200WATTS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2N6338

High-PowerNPNSiliconTransistors

...designedforuseinindustrial−militarypoweramplifierandswitchingcircuitapplications. •HighCollector−EmitterSustainingVoltage−VCEO(sus)=100Vdc(Min)−2N6338=150Vdc(Min)−2N6341 •HighDCCurrentGain−hFE=30−120@IC=10Adc=12(Min)@IC=25Adc •LowCollec

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6338

POWERTRANSISTOR(25A,200W)

25AMPEREPOWERTRANSISTORNPNSILICON100-150VOLTS200WATTS

MOSPEC

MOSPEC

MOSPEC
2N6338

HIGH-POWERNPNSILICONTRANSISTORS

25AMPEREPOWERTRANSISTORNPNSILICON100-150VOLTS200WATTS

bocaBoca semiconductor corporation

博卡博卡半导体公司

boca
2N6338

High-PowerNPNSiliconTransistors

文件:66.78 Kbytes Page:4 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6338

封装/外壳:TO-204AA,TO-3 包装:管件 描述:TRANS NPN 100V 25A TO204 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N6338

包装:散装 描述:NPN TRANSISTOR 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

MicrochipMicrochip Technology Inc.

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip
2N6338

SiliconNPNPowerTransistors

文件:160.67 Kbytes Page:3 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2N6338

SiliconNPNPowerTransistors

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SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC

High-PowerNPNSiliconTransistors

...designedforuseinindustrial−militarypoweramplifierandswitchingcircuitapplications. •HighCollector−EmitterSustainingVoltage−VCEO(sus)=100Vdc(Min)−2N6338=150Vdc(Min)−2N6341 •HighDCCurrentGain−hFE=30−120@IC=10Adc=12(Min)@IC=25Adc •LowCollec

ONSEMION Semiconductor

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SiliconNPNPowerTransistors

文件:160.67 Kbytes Page:3 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC

2N6338产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N6338

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 25A 100V 200W NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2024-5-7 19:57:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
23+
TO-204AA,TO-3
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
SPTECH(深圳质超)
23+
TO3
6000
MOTOROLA
16+
TO-3
1200
原装现货假一罚十
ST
ROHS+Original
NA
3
专业电子元器件供应链/QQ 350053121 /正纳电子
CHINA
22+
TO-3
640
航宇科工半导体-央企合格优秀供方!
ON
1738+
TO-3
8529
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十!
MOT
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NA
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23+
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专做原装正品,假一罚百!
MOT
22+
35000
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