2N6294晶体管资料

  • 2N6294别名:2N6294三极管、2N6294晶体管、2N6294晶体三极管

  • 2N6294生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司_KER_美国硅晶体技术公司

  • 2N6294制作材料:Si-N+Darl+Di

  • 2N6294性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 2N6294封装形式:直插封装

  • 2N6294极限工作电压:60V

  • 2N6294最大电流允许值:4A

  • 2N6294最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 2N6294引脚数:2

  • 2N6294最大耗散功率:50W

  • 2N6294放大倍数:β>750

  • 2N6294图片代号:E-8

  • 2N6294vtest:60

  • 2N6294htest:999900

  • 2N6294atest:4

  • 2N6294wtest:50

  • 2N6294代换 2N6294用什么型号代替:BD267,BD645,BD697,BD897,BDW23A,BDW63A,FD50C,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N6294

COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTONl

2N6294,2N6295 --> NPN 2N6296, 2N6297 --> PNP

Central

2N6294

Power Transistors

Power Transistors TO-66 Case

Central

2N6294

DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

2N6294,2N6295 --> NPN 2N6296, 2N6297 --> PNP

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2N6294

NPN DARLINGTON TRANSISTOR

2N6294,2N6295 --> NPN 2N6296, 2N6297 --> PNP

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2N6294

Silicon NPN Transistor Darlington Power Amplifier, Switch

Description: The 2N6294 silicon NPN Darlington transistor is a TO−66 type case designed for general purpose amplifier, low−frequency switching and hammer driver applications. Features:  High DC Current Gain: hFE = 3000 Typ @ IC = 2A  Low Collector−Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 2V

NTE

2N6294

封装/外壳:TO-213AA,TO-66-2 包装:散装 描述:POWER BJT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

Microchip

微芯科技

2N6294

Silicon NPN Power Transistors

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SAVANTIC

2N6294

Silicon NPN Power Transistors

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JMNIC

锦美电子

2N6294

COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

文件:339.17 Kbytes Page:2 Pages

Central

2N6294

Silicon NPN Power Transistors

文件:127.06 Kbytes Page:3 Pages

JMNIC

锦美电子

2N6294

Silicon NPN Power Transistors

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SAVANTIC

2N6294

Silicon NPN Power Transistors

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ISC

无锡固电

Silicon NPN Power Transistors

文件:127.06 Kbytes Page:3 Pages

JMNIC

锦美电子

2N6294产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N6294

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT Power Transistor Darlington

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-8-10 16:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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