2N6190晶体管资料

  • 2N6190别名:2N6190三极管、2N6190晶体管、2N6190晶体三极管

  • 2N6190生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司_SSI_美国硅晶体技术公司

  • 2N6190制作材料:Si-PNP

  • 2N6190性质:开关管 (S)

  • 2N6190封装形式:直插封装

  • 2N6190极限工作电压:80V

  • 2N6190最大电流允许值:5A

  • 2N6190最大工作频率:>30MHZ

  • 2N6190引脚数:3

  • 2N6190最大耗散功率:10W

  • 2N6190放大倍数:β>30

  • 2N6190图片代号:C-62

  • 2N6190vtest:80

  • 2N6190htest:30000100

  • 2N6190atest:5

  • 2N6190wtest:10

  • 2N6190代换 2N6190用什么型号代替:BFT35,BFT36,BFT37,BLX46,BUY90,3CA5C,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N6190

Small Signal Transistors

Central

2N6190

5 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2N6190

封装/外壳:TO-205AA,TO-5-3 金属罐 包装:卷带(TR) 描述:POWER BJT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

Microchip

微芯科技

2N6190

PNP SILICON TRANSISTORS

文件:21.53 Kbytes Page:2 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

2N6190

Chip Type 2C6193 Geometry 9700 Polarity PNP

文件:31.14 Kbytes Page:1 Pages

Semicoa

2N6190产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N6190

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT Small Signal Transistor

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-8-10 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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2N6190
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