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2N6190晶体管资料

  • 2N6190别名:2N6190三极管、2N6190晶体管、2N6190晶体三极管

  • 2N6190生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司_SSI_美国硅晶体技术公司

  • 2N6190制作材料:Si-PNP

  • 2N6190性质:开关管 (S)

  • 2N6190封装形式:直插封装

  • 2N6190极限工作电压:80V

  • 2N6190最大电流允许值:5A

  • 2N6190最大工作频率:>30MHZ

  • 2N6190引脚数:3

  • 2N6190最大耗散功率:10W

  • 2N6190放大倍数:β>30

  • 2N6190图片代号:C-62

  • 2N6190vtest:80

  • 2N6190htest:30000100

  • 2N6190atest:5

  • 2N6190wtest:10

  • 2N6190代换 2N6190用什么型号代替:BFT35,BFT36,BFT37,BLX46,BUY90,3CA5C,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N6190

5 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N6190

Small Signal Transistors

CENTRAL

2N6190

Chip Type 2C6193 Geometry 9700 Polarity PNP

文件:31.14 Kbytes Page:1 Pages

SEMICOA

2N6190

PNP SILICON TRANSISTORS

文件:21.53 Kbytes Page:2 Pages

SEME-LAB

2N6190

封装/外壳:TO-205AA,TO-5-3 金属罐 包装:卷带(TR) 描述:POWER BJT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

MICROCHIP

微芯科技

2N6190

Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch

CENTRAL

2N6190

Bipolar Junction Transistors

TTELEC

2N6190

PNP Transistor

MICROCHIP

微芯科技

2N6190产品属性

  • 类型

    描述

  • Case:

    TO-39

  • Configuration/ Description:

    PNP General Purpose Amplifier/Switch

  • Polarity:

    PNP

  • IC MAX:

    5A

  • PD MAX:

    10W

  • VCEO MAX:

    80V

  • hFE MIN:

    30

  • hFE MAX:

    120

  • @VCE:

    2V

  • VCE(SAT) MAX:

    700mV

  • @IC:

    2A

  • @IB:

    200mA

  • Cob MAX:

    300pF

  • fT MIN:

    30MHz

更新时间:2026-5-14 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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