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2N5883晶体管资料

  • 2N5883别名：2N5883三极管、2N5883晶体管、2N5883晶体三极管

  • 2N5883生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司_ITX_美国晶体管有限公司

  • 2N5883制作材料：Si-PNP

  • 2N5883性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • 2N5883封装形式：直插封装

  • 2N5883极限工作电压：60V

  • 2N5883最大电流允许值：25A

  • 2N5883最大工作频率：>4MHZ

  • 2N5883引脚数：2

  • 2N5883最大耗散功率：200W

  • 2N5883放大倍数：

  • 2N5883图片代号：E-44

  • 2N5883vtest：60

  • 2N5883htest：4000100

  • 2N5883atest：25

  • 2N5883wtest：200

  • 2N5883代换 2N5883用什么型号代替：BD367,BD369,MJ4502,2N4399,2N5683,2N6377,

2N5883价格

参考价格：￥12.7339

型号：2N5883G 品牌：ONSemi 备注：这里有2N5883多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2N5883批发/采购报价，2N5883行情走势销售排行榜，2N5883报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N5883

POWERTRANSISTORS(25A,200W)

General-PurposePowerAmplifierandSwitchingApplications Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=15A •ExcellentDCCurrentGain− hFE=20~100@IC=10A

MOSPEC

MOSPEC

MOSPEC
2N5883

COMPLEMENTARYSILICONHIGH-POWERTRANSISTORS

General-PurposePowerAmplifierandSwitchingApplications Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=15A •ExcellentDCCurrentGain− hFE=20~100@IC=10A

bocaBoca semiconductor corporation

博卡博卡半导体公司

boca
2N5883

PowerTransistors

PowerTransistors

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
2N5883

ComplementarySiliconHigh?뭁owerTransistors

Complementarysiliconhigh−powertransistorsaredesignedforgeneral−purposepoweramplifierandswitchingapplications. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0Vdc,(max)atIC=15Adc •LowLeakageCurrent ICEX=1.0mAdc(max)atRatedVoltage •Excell

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N5883

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3package •Complementtotype2N58852N5886 APPLICATIONS •Theyareintendedforuseinpowerlinear andswitchingapplications

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2N5883

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3package •Complementtotype2N58852N5886 •Highpowerdissipations APPLICATIONS •Theyareintendedforuseinpowerlinear andswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2N5883

Supplymanagement

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5883,2N5885seriestypesarecomplementarysiliconepitaxialbasetransistorsdesignedforpoweramplifierandswitchingapplications.

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
2N5883

POWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON

...designedforgeneral−purposepoweramplifierandswitchingapplications. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0Vdc,(max)atIC=15Adc •LowLeakageCurrent-ICEX=1.0mAdc(Max) •ExcellentDCCurrentGain−hFE=20(Min)@IC=10Adc

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2N5883

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3package •Complementtotype2N58852N5886 •Highpowerdissipations APPLICATIONS •Theyareintendedforuseinpowerlinear andswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2N5883

SILICONEPITAXIALPNPTRANSISTOR

文件：195.22 Kbytes Page：3 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
2N5883

包装：卷带（TR） 描述：PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MicrochipMicrochip Technology Inc.

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip
2N5883

SiliconPNPPowerTransistors

文件：115.12 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2N5883

SiliconPNPPowerTransistors

文件：126.19 Kbytes Page：3 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2N5883G

ComplementarySiliconHigh?뭁owerTransistors

Complementarysiliconhigh−powertransistorsaredesignedforgeneral−purposepoweramplifierandswitchingapplications. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0Vdc,(max)atIC=15Adc •LowLeakageCurrent ICEX=1.0mAdc(max)atRatedVoltage •Excell

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N5883_15

SiliconPNPPowerTransistors

文件：126.19 Kbytes Page：3 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2N5883G

封装/外壳：TO-204AA，TO-3 包装：管件 描述：TRANS PNP 60V 25A TO204 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

2N5883产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N5883

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 25A 60V 200W PNP

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

2N5883供应商更多...

更新时间：2024-5-24 18:52:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
中天科工半导体（深圳）有限公司
2N5884
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2N5883
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