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2N5861晶体管资料

  • 2N5861别名:2N5861三极管、2N5861晶体管、2N5861晶体三极管

  • 2N5861生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司_SCA

  • 2N5861制作材料:Si-NPN

  • 2N5861性质:开关管 (S)

  • 2N5861封装形式:直插封装

  • 2N5861极限工作电压:100V

  • 2N5861最大电流允许值:2A

  • 2N5861最大工作频率:>200MHZ

  • 2N5861引脚数:3

  • 2N5861最大耗散功率:1W

  • 2N5861放大倍数

  • 2N5861图片代号:C-62

  • 2N5861vtest:100

  • 2N5861htest:200000100

  • 2N5861atest:2

  • 2N5861wtest:1

  • 2N5861代换 2N5861用什么型号代替:3DK10D,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N5861

Small Signal Transistors

CENTRAL

2N5861

NPN SILICON MEMORY DIRVER TRANSISTOR

NPN SILICON ANNULAR MEMORY DRIVER . . . designed for medium-current, high-speed switching applications ideally suited for ferrite core memory driver circuits.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N5861

包装:散装 描述:SMALL-SIGNAL BJT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

MICROCHIP

微芯科技

2N5861

Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch

CENTRAL

2N5861产品属性

  • 类型

    描述

  • Case:

    TO-39

  • Configuration/ Description:

    NPN General Purpose Amplifier/Switch

  • Polarity:

    NPN

  • IC MAX:

    2A

  • PD MAX:

    1W

  • VCEO MAX:

    50V

  • hFE MIN:

    25

  • hFE MAX:

    100

  • @VCE:

    1V

  • VCE(SAT) MAX:

    500mV

  • @IC:

    500mA

  • @IB:

    50mA

  • Cob MAX:

    7pF

  • fT MIN:

    200MHz

更新时间:2026-5-15 22:30:00
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