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位置：首页 > IC中文资料第3493页 > 2N5818

2N5818晶体管资料

  • 2N5818别名：2N5818三极管、2N5818晶体管、2N5818晶体三极管

  • 2N5818生产厂家：美国通用电器公司_SEM_美国史普拉各电气公司

  • 2N5818制作材料：Si-NPN

  • 2N5818性质：低频或音频放大 （LF）_TR

  • 2N5818封装形式：直插封装

  • 2N5818极限工作电压：50V

  • 2N5818最大电流允许值：0.75A

  • 2N5818最大工作频率：>135MHZ

  • 2N5818引脚数：3

  • 2N5818最大耗散功率：0.5W

  • 2N5818放大倍数：β>150

  • 2N5818图片代号：A-23

  • 2N5818vtest：50

  • 2N5818htest：135000100

  • 2N5818atest：0.75

  • 2N5818wtest：0.5

  • 2N5818代换 2N5818用什么型号代替：BC337,BC377,BC635,BC637,BC639,BC737,3DK4B,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N5818

COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR

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MICRO-ELECTRONICS

2N5818

BJTS, SI NPN LO-PWR

COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS TO-92-18R CASE

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2N5818

COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS TO-92-18R CASE

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2N5818产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N5818

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

2N5818供应商更多...

更新时间：2025-8-9 19:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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