2N5681晶体管资料

  • 2N5681别名:2N5681三极管、2N5681晶体管、2N5681晶体三极管

  • 2N5681生产厂家:美国范恰得公司_美国摩托罗拉半导体公司_美国晶体管

  • 2N5681制作材料:Si-PNP

  • 2N5681性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)

  • 2N5681封装形式:直插封装

  • 2N5681极限工作电压:120V

  • 2N5681最大电流允许值:1A

  • 2N5681最大工作频率:>30MHZ

  • 2N5681引脚数:3

  • 2N5681最大耗散功率:1W

  • 2N5681放大倍数

  • 2N5681图片代号:C-62

  • 2N5681vtest:120

  • 2N5681htest:30000100

  • 2N5681atest:1

  • 2N5681wtest:1

  • 2N5681代换 2N5681用什么型号代替:BCX40,BLX10,BUY41,2N3019,2N3020,2N4300,2N4895,2N4896,2SC1860,3DK204B,

2N5681价格

参考价格:¥6.1068

型号:2N5681 品牌:MULTICOMP 备注:这里有2N5681多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2N5681批发/采购报价,2N5681行情走势销售排行榜,2N5681报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N5681

PNP/NPNHIGHVOLTAGESILICONTRANSISTORS

PNP/NPNHIGHVOLTAGESILICONTRANSISTORS TheseAreHighVoltage&HighCurrent,GeneralPurposeTransistors

bocaBoca semiconductor corporation

博卡博卡半导体公司

boca
2N5681

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DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N4928seriestypesarePNPSiliconTransistorsdesignedforgeneralpurposeapplications.

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
2N5681

PowerTransistors

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
2N5681

PNP/NPNHIGHVOLTAGESILICONTRANSISTORS

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TEL

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2N5681

GENERALPURPOSETRANSISTOR

GENERALPURPOSETRANSISTOR 2N56792N5680PNPSILICON 2N56812N5682NPNSILICON

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新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2N5681

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CDIL

CDIL

CDIL
2N5681

NPNSWITCHINGTRANSISTORS

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COMSET

Comset Semiconductor

COMSET
2N5681

包装:散装 描述:PNP TRANSISTOR 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

MicrochipMicrochip Technology Inc.

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip
2N5681

SILICONNPNTRANSISTORS

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS
2N5681

NPNSILICONTRANSISTORS

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SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
2N5681

NPNPOWERTRANSISTORSILICONAMPLIFIER

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美高森美美高森美公司

Microsemi

PNP/NPNHIGHVOLTAGESILICONTRANSISTORS

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CDIL

CDIL

CDIL

BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealed

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SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB

2N5681产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N5681

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Ampl/Switch

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2024-4-26 19:42:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MOT
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