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2N5641晶体管资料

  • 2N5641别名:2N5641三极管、2N5641晶体管、2N5641晶体三极管

  • 2N5641生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司_SEM_美国得克萨斯仪表公司

  • 2N5641制作材料:Si-NPN

  • 2N5641性质:甚高频 (VHF)_功率放大 (L)

  • 2N5641封装形式:贴片封装

  • 2N5641极限工作电压:65V

  • 2N5641最大电流允许值:1A

  • 2N5641最大工作频率:175MHZ

  • 2N5641引脚数:4

  • 2N5641最大耗散功率:7W

  • 2N5641放大倍数

  • 2N5641图片代号:G-127

  • 2N5641vtest:65

  • 2N5641htest:175000000

  • 2N5641atest:1

  • 2N5641wtest:7

  • 2N5641代换 2N5641用什么型号代替:BLY91,BLY98,3DA107B,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N5641

silicon transistors UHF/VHF power transistors

silicon transistors UHF/VHF power transistors NPN type germanium transistors diffused-base MESA transistors ultra-high-speed switching

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2N5641

7W / 20W / 40W, 28V, VHF POWER TRANSISTOR

Description: These SSM devices are epitaxial silicon NPN-planar transistors designed primarily for 12.5 volt AM class C rf amplifiers functional in the aviation band 118-136 MHz and for 28V FM class C rf amplifers utilized in ground station transmitters. These devices utilize ballasted emitter re

STMICROELECTRONICS

意法半导体

2N5641

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 7.0 W - 175 MHz RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N5641

Trans GP BJT NPN 35V 1A 4-Pin Style M135

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N5641产品属性

  • 类型

    描述

  • Output Power:

    7(Min)W

  • Number of Elements per Chip:

    1

  • Minimum Operating Temperature:

    -65°C

  • Minimum DC Current Gain:

    5@100mA@5V

  • Maximum Operating Temperature:

    200°C

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    4V

  • Maximum DC Collector Current:

    1A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    35V

  • Maximum Collector Base Voltage:

    65V

  • Configuration:

    Single Dual Emitter

更新时间:2026-5-14 19:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
专业铁帽
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67500
铁帽原装主营-可开原型号增税票
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TO-55
20000
公司只有原装 品质保证
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1752+
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全新 发货1-2天

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