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2N5629晶体管资料

  • 2N5629别名：2N5629三极管、2N5629晶体管、2N5629晶体三极管

  • 2N5629生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司_美国硅晶体技术公司_美国晶

  • 2N5629制作材料：Si-NPN

  • 2N5629性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • 2N5629封装形式：直插封装

  • 2N5629极限工作电压：100V

  • 2N5629最大电流允许值：16A

  • 2N5629最大工作频率：>1MHZ

  • 2N5629引脚数：2

  • 2N5629最大耗散功率：200W

  • 2N5629放大倍数：

  • 2N5629图片代号：E-44

  • 2N5629vtest：100

  • 2N5629htest：1000100

  • 2N5629atest：16

  • 2N5629wtest：200

  • 2N5629代换 2N5629用什么型号代替：BD317,BDX40,BDX50,BDX60,BDY57,BDY60,2N3272,2N3773,2SC2608,3DK170B,

2N5629价格

参考价格：￥25.4677

型号：2N5629 品牌：Centralr 备注：这里有2N5629多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2N5629批发/采购报价，2N5629行情走势销售排行榜，2N5629报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N5629

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5629, 2N6029 series devices are complementary silicon power transistors, manufactured by the epitaxial base process, designed for high voltage and high power amplifier applications.

Central

2N5629

Power Transistors

Power Transistors

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2N5629

POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

HIGH-VOLTAGE - HIGH POWER TRANSISTORS 16 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100-120-140 VOLTS 200 WATTS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N5629

Silicon NPN Power Transistors

文件：123.66 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2N5629

封装/外壳：TO-204AA，TO-3 包装：散装 描述：POWER BJT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

Microchip

微芯科技

2N5629

三极管

MOSPEC

统懋

2N5629

Silicon NPN Power Transistors

文件：131.38 Kbytes Page：3 Pages

ISC

无锡固电

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Silicon NPN Power Transistors

文件：123.66 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2N5629

Silicon NPN Power Transistors

文件：112.56 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2N5629

Silicon NPN Power Transistors

文件：114.14 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2N5629_15

Silicon NPN Power Transistors

文件：123.66 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2N5629产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N5629

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN High Pwr

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

2N5629供应商更多...

更新时间：2025-12-24 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市联世界科技有限公司
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2N5629
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MOT
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深圳市蓝山航业科技有限公司
2N5631
mot
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500000
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深圳市一线半导体有限公司
2N5629
MOT
24+
TO-3
10000
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深圳市科恒伟业电子有限公司
2N5630
MOTOROLA/摩托罗拉
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TO-2
6540
原装现货或订发货1-2周
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深圳市昊创电子有限公司
2N5629
ON/安森美
专业铁帽
TO-3
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原装铁帽专营,代理渠道量大可订货
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艾睿（深圳）半导体有限公司
2N5629
CENTRAL
2447
SMD
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一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
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