EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,HIGHVOLTAGE)

GENERALPURPOSEAPPLICATION. HIGHVOLTAGEAPPLICATION. FEATURES •HighCollectorBreakdwonVoltage :VCBO=-160V,VCEO=-150V •LowLeakageCurrent. :ICBO=-50nA(Max.)@VCB=-120V •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.5V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA •LowNoise:NF=8dB(Max.)

TO-92PACKAGE

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AmplifierTransistor(PNPSilicon)

PNPSilicon

PNPhigh-voltagetransistor

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

AMPLIFIERTRANSISTOR ●Collector-EmitterVoltage:VCEO=150V ●CollectorDissipation:Pc(max)=625mW

PNPSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications???

PNPSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications

PNPGeneralPurposeAmplifier

PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitchforapplicationsrequiringhighvoltages.SourcedfromProcess74.

TO-92PACKAGE

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EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR

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BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedLCC1

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封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 包装：带盒（TB） 描述：TRANS PNP 150V 0.6A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 包装：带盒（TB） 描述：TRANS PNP 150V 0.6A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个