2N5302G价格

参考价格:¥12.8214

型号:2N5302G 品牌:ONSemi 备注:这里有2N5302G多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2N5302G批发/采购报价,2N5302G行情走势销售排行榜,2N5302G报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N5302G

High?뭁ower NPN Silicon Transistor

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ONSEMI

安森美半导体

2N5302G

封装/外壳:TO-204AA,TO-3 包装:管件 描述:TRANS NPN 60V 30A TO204 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

2N5302G

Trans GP BJT NPN 60V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray

NJS

POWER TRANSISTORS(200W)

NPN SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS General Purpose use in power amplifier and switching circuit applications.

MOSPEC

统懋

NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)

AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER • High Current Capability • High Power Dissipation

WINGS

永盛电子

NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/456

Microsemi

美高森美

POWER TRANSISTORS NPN SILICON

High-Power NPN Silicon Transistors . . . for use in power amplifier and switching circuits applications. • High Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) @ IC = 200 mAdc (2N5303) • Low Collector–Emitter Saturation Voltage — VCE(sat) = 0.75 Vdc (Max) @ IC = 10 Adc

ONSEMI

安森美半导体

High-Power NPN Silicon Transistor

High−Power NPN Silicon Transistor High−power NPN silicon transistors are for use in power amplifier and switching circuits applications. Features • Low Collector−Emitter Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.75 Vdc (Max) @ IC = 10 Adc • Pb−Free Package is Available*

ONSEMI

安森美半导体

2N5302G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N5302G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 30A 60V 200W NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-11 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO-204
977
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
MOT
专业铁帽
TO-3
67500
铁帽原装主营-可开原型号增税票
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880000
明嘉莱只做原装正品现货
CENTRAL
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487
原装正品
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