2N5210晶体管资料

  • 2N5210别名:2N5210三极管、2N5210晶体管、2N5210晶体三极管

  • 2N5210生产厂家:美国、法国费兰第有限公司_美国摩托罗拉半导体公司_

  • 2N5210制作材料:Si-NPN

  • 2N5210性质:低频或音频放大 (LF)_低噪放大 (ra)

  • 2N5210封装形式:直插封装

  • 2N5210极限工作电压:50V

  • 2N5210最大电流允许值:0.05A

  • 2N5210最大工作频率:80MHZ

  • 2N5210引脚数:3

  • 2N5210最大耗散功率:0.625W

  • 2N5210放大倍数

  • 2N5210图片代号:A-31

  • 2N5210vtest:50

  • 2N5210htest:80000000

  • 2N5210atest:0.05

  • 2N5210wtest:0.625

  • 2N5210代换 2N5210用什么型号代替:BC184,BC413,BC414,BC550,2SC2240,

2N5210价格

参考价格:¥0.2100

型号:2N5210 品牌:Central Semiconductor Co 备注:这里有2N5210多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2N5210批发/采购报价,2N5210行情走势销售排行榜,2N5210报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N5210

Amplifier Transistors(NPN Silicon)

Amplifier Transistors NPN Silicon

ONSEMI

安森美半导体

2N5210

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

Samsung

三星

2N5210

NPN General Purpose Amplifier

NPN General Purpose Amplifier This device is designed for low noise, high gain, general purpose amplifier applications at collector currents from 1µA to 50 mA.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

2N5210

NPN SILICON AF LOW NOISE SMALL SIGNAL TRANSISTORS

MICRO-ELECTRONICS

2N5210

NPN General Purpose Amplifier

NPN General Purpose Amplifier This device is designed for low noise, high gain, general purpose amplifier applications at collector currents from 1µA to 50 mA.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

2N5210

Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued)

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4400 and 2N4401 are silicon NPN transistors designed for general purpose amplifier and switching applications. PNP complementary types are 2N4402 and 2N4403. MARKING: FULL PART NUMBER

Central

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 包装:卷带(TR) 描述:TRANS NPN 50V 0.1A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 包装:散装 描述:TRANS NPN 50V 0.1A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

2N5210产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N5210

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-8-7 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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25250
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