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2N5108晶体管资料

  • 2N5108(A)别名:2N5108(A)三极管、2N5108(A)晶体管、2N5108(A)晶体三极管

  • 2N5108(A)生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司_美国无线电公司_SEM

  • 2N5108(A)制作材料:Si-NPN

  • 2N5108(A)性质:超高频/特高频 (UHF)_振荡级 (O)_TR

  • 2N5108(A)封装形式:直插封装

  • 2N5108(A)极限工作电压:55V

  • 2N5108(A)最大电流允许值:0.4A

  • 2N5108(A)最大工作频率:1GHZ

  • 2N5108(A)引脚数:3

  • 2N5108(A)最大耗散功率:1W

  • 2N5108(A)放大倍数

  • 2N5108(A)图片代号:C-62

  • 2N5108(A)vtest:55

  • 2N5108(A)htest:1000000000

  • 2N5108(A)atest:0.4

  • 2N5108(A)wtest:1.0001

  • 2N5108(A)代换 2N5108(A)用什么型号代替:BLX65,2N5913,3DA39,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N5108

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

DESCRIPTION: The 2N5108 is a Designed for General Purpose Class C Amplifier Applications Up to 1 GHz. FEATURES: • GPE = 6.0 dB Typ. at 1.0 GHz • FT = 1,500 MHz Typ. at 15 V/ 50 mA • Hermetic TO-39 Package

ASI

2N5108

silicon transistors UHF/VHF power transistors

silicon transistors UHF/VHF power transistors NPN type germanium transistors diffused-base MESA transistors ultra-high-speed switching

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2N5108

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • High Current-Gain Bandwidth Product : fT= 1200MHz (Min) @VCE = 10V,IE = 50mA • Low Saturation Voltage • Good Linearity of hFE APPLICATIONS • Designed for general purpose Class C amplifier applications up to 1 GHz

ISC

无锡固电

2N5108

SI NPN POWER BJT

Description: Si NPN Power BJT, I(C)

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N5108产品属性

  • 类型

    描述

  • 功能描述:

    TRANSISTOR

更新时间:2026-5-13 22:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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