型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N5089BU

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 包装:管件 描述:TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

2N5089BU

TRANS NPN 25V 0.1A TO-92

ONSEMI

安森美半导体

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

AMPLIFIER TRANSISTOR • Collector-Emitter Voltage: VCEO=25V • Collector Dissipation: PC (max)=625mW

SAMSUNG

三星

NPN General Purpose Amplifier

NPN General Purpose Amplifier This device is designed for low noise, high gain, general purpose amplifier applications at collector currents from 1µA to 50 mA.

FAIRCHILD

仙童半导体

PNP/NPN SILICON AF LOW NOISE SMALL SIGNAL TRANSISTORS

PNP/NPN SILICON AF LOW NOISE SMALL SIGNAL TRANSISTORS

MICRO-ELECTRONICS

Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued)

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4400 and 2N4401 are silicon NPN transistors designed for general purpose amplifier and switching applications. PNP complementary types are 2N4402 and 2N4403. MARKING: FULL PART NUMBER

CENTRAL

Amplifier Transistors NPN Silicon

文件:83.82 Kbytes Page:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N5089BU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N5089BU

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-1-27 18:15:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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